IR近日推出專為每個通道高達500W的D類音頻應用開發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時間、雙向過流感應等功能可保護放大器系統(tǒng)。此外,這些特性還可以使音頻設計師簡化電路并減少家庭影院娛樂系統(tǒng)、影音接收機和汽車音響系統(tǒng)中D類音頻放大器的元件數(shù)量。
內(nèi)置的可選死區(qū)時間生成電路可對穩(wěn)定性進行熱補償,并具有噪聲和電源電壓波動免疫功能,以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應和集成的關斷功能,在出現(xiàn)揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。
IR消費及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出:“使用這一新型D類音頻集成電路來驅(qū)動音頻MOSFET(如IRF6665),電路設計人員可以減少系統(tǒng)占板空間,改進PCB布局,降低EMI和改善熱特性。”
譚先生認為,“D類音頻電路需要承受高頻開關的高電壓變化,IR專門為開關應用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對特殊應用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音頻性能。”
內(nèi)置的可選死區(qū)時間生成電路可對穩(wěn)定性進行熱補償,并具有噪聲和電源電壓波動免疫功能,以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應和集成的關斷功能,在出現(xiàn)揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。
IR消費及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出:“使用這一新型D類音頻集成電路來驅(qū)動音頻MOSFET(如IRF6665),電路設計人員可以減少系統(tǒng)占板空間,改進PCB布局,降低EMI和改善熱特性。”
譚先生認為,“D類音頻電路需要承受高頻開關的高電壓變化,IR專門為開關應用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對特殊應用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音頻性能。”





