美光科技有限公司（Micron Technology, Inc）推出一項串行NAND閃存技術(shù)，使嵌入式應用產(chǎn)品能夠靈活方便地升級存儲容量。美光串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb，這樣一來，客戶就能夠輕松地在串行NOR閃存現(xiàn)有存儲能力之外，以高性價比擴展存儲容量；此外，美光的這款閃存還具有顯著的每數(shù)據(jù)位成本（cost-per-bit）優(yōu)勢。 

美光公司NAND市場開發(fā)總監(jiān)Kevin Kilbuck說，“美光的串行NAND技術(shù)能提供市場每數(shù)據(jù)位成本最低的串行接口閃存?，F(xiàn)在有許多嵌入式應用產(chǎn)品需要128M甚至更大的存儲空間，我們預計容量需求還會繼續(xù)增長，這就需要在NOR閃存之外提供基于NAND技術(shù)的存儲解決方案?！?nbsp;

隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，他們需要功能更穩(wěn)健、密度更高的內(nèi)存解決方案。WiMAX設備、機頂盒、打印機以及其他工業(yè)和汽車應用產(chǎn)品過去只用來進行信息解碼，而這樣的時代已經(jīng)一去不復返了?，F(xiàn)在，這些設備之中有更為尖端的操作系統(tǒng)，用于管理多媒體、圖片和其他數(shù)據(jù)密集的內(nèi)容，因此也需要設備提供更大的存儲空間。 

美光了解到這些應用需求，充分利用其可靠的NAND技術(shù)，為客戶提供一套密度更高、寫入性能更優(yōu)、擴展性更好的存儲解決方案，使用戶無需從頭至尾重新設計系統(tǒng)，就能擴展其應用產(chǎn)品的存儲容量。此外，美光的串行NAND技術(shù)采用與并行NAND相同的封裝類型，因此可作為一種過渡方法，幫助生產(chǎn)商在需要的時候從串行接口產(chǎn)品轉(zhuǎn)換到并行NAND接口產(chǎn)品。 

美光串行NAND技術(shù)優(yōu)勢

•    兼容性：與行業(yè)標準串行外設接口（SPI）命令集兼容。 

•    最大限度增強功能：提供所需的密度，以最大限度提高系統(tǒng)功能，降低物料成本。用戶自建的內(nèi)容直接存儲到設備上，無需使用單獨的NAND芯片。

•    速度更快：美光的串行NAND閃存的處理速度為2.64 MB/s，寫入速度比NOR閃存（不到0.5MB/s）更快。

•    簡約的設計：去掉了外部卡插槽，因此降低了物料成本；并利用芯片上的糾錯碼（ECC）來解決出廠原始NAND閃存伴生的復雜問題。 

•    更安全：提供了只讀區(qū)和保護性的塊鎖，以避免設備上存儲的內(nèi)容遭到擅自更改。 

產(chǎn)品上市情況

美光的1Gb串行NAND技術(shù)現(xiàn)已推出試用產(chǎn)品，預計于2009年一季度投入量產(chǎn)。美光公司還計劃于2009年初推出密度更高的串行NAND閃存產(chǎn)品，容量將可達到4Gb。