英飛凌科技公司（Infineon）近日宣布，該公司已向PC業(yè)界領(lǐng)先開發(fā)商提供了業(yè)界首款DDR3 （雙數(shù)據(jù)速率3 ）內(nèi)存模組。這標(biāo)志著英飛凌已置身于新一代內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)前沿，新一代內(nèi)存產(chǎn)品的速度將是現(xiàn)有最高速內(nèi)存產(chǎn)品的兩倍。第一批配備DDR3內(nèi)存的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)有望在2006年年底問世。

新型英飛凌DDR3內(nèi)存模組可以高達(dá)1067Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率處理數(shù)據(jù)，相當(dāng)于每秒鐘處理40首MP3歌曲。通過在DDR3平臺(tái)原型上運(yùn)行英飛凌內(nèi)存模組，不僅信號(hào)傳輸良好，而且還驗(yàn)證了DDR3功能。DDR3將成為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦中使用的高速、低功率內(nèi)存模組的新標(biāo)準(zhǔn)。

DDR3 的當(dāng)前帶寬為800 Mbps 和 1067 Mbps，英飛凌將重點(diǎn)研發(fā)，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)傳輸速度至1600 Mbps，這將是現(xiàn)有DDR2內(nèi)存最高傳輸速度的兩倍，可大大提升未來計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與應(yīng)用的性能。

DDR3還能帶來更低的功耗：供電電壓從DDR2的1.8V降至DDR3的1.5V，目標(biāo)是使電池續(xù)航時(shí)間能達(dá)到一個(gè)工作日。降低電壓是限制帶寬提高引起的功耗增加和發(fā)熱的重要前提。

市場調(diào)查公司iSuppli預(yù)計(jì)，到2008年DDR3 DRAM產(chǎn)品將取代DDR2，占有55％的市場份額，成為主流產(chǎn)品。

英飛凌與南亞科技公司合作開發(fā)的首款DDR3樣品將于2006年下半年開始供貨。目前計(jì)劃在2006年年底開始批量生產(chǎn)，這取決于配套平臺(tái)的推出時(shí)間。