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賽普拉斯半導(dǎo)體公司 (Cypress Semiconductor Corp.) 宣布其已開始提供業(yè)界首款Quad Data Rate II +(四倍數(shù)據(jù)率II+)和DDRII+(雙倍數(shù)據(jù)率II+)SRAM系列器件樣片。該新型存儲器芯片提供了全球最高密度和最高帶寬,比現(xiàn)有的QDRII 和DDRII產(chǎn)品的系統(tǒng)級帶寬提高50%之多。這些新型存儲器將加速各種數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的讀寫功能,其中包括交換機、路由器、服務(wù)器、存儲設(shè)備、無線基站和測試設(shè)備等。
  
  采用165 引腳 FBGA 封裝的QDRII+和DDRII+產(chǎn)品,其工作速度高達500 MHz,與QDRII和DDRII 相比,器件外形尺寸保持不變,帶寬較高,可高達72 Gbps。新型存儲器得到 QDR 聯(lián)合開發(fā)工作組的支持,將與NEC、IDT、Renesas 和Samsung等其他聯(lián)合開發(fā)工作組成員的產(chǎn)品實現(xiàn)引腳兼容。Cypress的QDRII+/DDRII+ SRAM 系列器件采用了Cypress的90納米RAM9?工藝技術(shù)制造。
  
  賽普拉斯的存儲器與成像部產(chǎn)品市場營銷總監(jiān)Mathew Arcoleo 指出:“率先向市場推出QDRII+產(chǎn)品這一舉動,充分證實了Cypress繼續(xù)鞏固其在全球SRAM市場中的領(lǐng)先地位的決心。該新型器件為制造商提供了他們所需要的高密度和高性能,以擴展網(wǎng)絡(luò)功能并提供更多服務(wù)?!?
 
  賽普拉斯的72 Mbit QDRII+/DDRII+ 產(chǎn)品目前已提供樣片,預(yù)計將于2006年下半年開始投產(chǎn),屆時將公布定價。如欲查看QDRII+部件照片,請訪問:www.cypress.com/QDRII+photo。
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LED驅(qū)動電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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