ARM 發(fā)布Velocity DDR存儲(chǔ)接口產(chǎn)品
ARM公司今天宣布擴(kuò)展了其Artisan®物理IP系列產(chǎn)品中的Velocity™ DDR存儲(chǔ)接口產(chǎn)品，以支持眾多特定應(yīng)用對(duì)SDRAM的要求。擴(kuò)展后的ARM® Velocity DDR產(chǎn)品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)相兼容，并支持領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。
ARM Velocity系列產(chǎn)品針對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度最高達(dá)800Mbps的主流個(gè)人電腦和服務(wù)器中的應(yīng)用。Velocity Mobile DDR解決方案針對(duì)低功耗應(yīng)用，GDDR3解決方案則針對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度最高達(dá)1600 Mbps的圖形存儲(chǔ)接口。Velocity DDR解決方案相對(duì)于以前的產(chǎn)品具有更小的體積和更低的抖動(dòng)幅度，這將繼續(xù)幫助用戶優(yōu)化其SoC設(shè)計(jì)的功耗和尺寸，同時(shí)縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
Azul Systems芯片工程部高級(jí)總監(jiān)Paul Koike表示：“ARM DDR產(chǎn)品幫助我們降低了復(fù)雜IP開發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)；由于我們所有的接口和時(shí)鐘發(fā)生IP都是ARM開發(fā)的，所以ARM DDR產(chǎn)品在Azul全部的SoC設(shè)計(jì)中都起到了至關(guān)重要的作用。我們一直努力降低設(shè)計(jì)的尺寸，我們相信ARM為90納米互聯(lián)I/O提供了最全面的產(chǎn)品。”
存儲(chǔ)器的復(fù)雜性和對(duì)更快的速度的需求正在要求一種不同于以往純數(shù)字方式的解決手段。目前，對(duì)于混合信號(hào)解決方案的需求越來(lái)越大，以解決類似信號(hào)和電壓完整性以及阻抗不連續(xù)性等問(wèn)題。ARM經(jīng)過(guò)芯片驗(yàn)證的 擴(kuò)展的Velocity DDR解決方案為可編程終端增加了on-die termination以提高信號(hào)完整性，并擁有先進(jìn)的動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)和更高的DDR2輸入/輸出阻抗精度，確保更精確的阻抗匹配。除了這些對(duì)于先前的DDR產(chǎn)品的改進(jìn)之外，Velocity DDR解決方案還能夠方便的整合，使得設(shè)計(jì)師可以在每次設(shè)計(jì)中優(yōu)化功耗、尺寸和抖動(dòng)幅度，降低整體系統(tǒng)成本。
ARM物理IP營(yíng)銷副總裁Neal Carney表示：“SoC設(shè)計(jì)師一直在尋找能夠降低風(fēng)險(xiǎn)、實(shí)現(xiàn)無(wú)縫整合并加快開發(fā)速度的IP解決方案。ARM通過(guò)提供經(jīng)過(guò)芯片驗(yàn)證的、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DDR存儲(chǔ)接口解決方案，幫助我們的客戶加快了產(chǎn)品上市時(shí)間，并使他們?cè)谄銼oC領(lǐng)域內(nèi)保持競(jìng)爭(zhēng)力?！?
經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的ARM Velocity DDR解決方案也包括了一個(gè)全面的、按速度細(xì)分的產(chǎn)品類別，具有模擬計(jì)時(shí)的功能，例如用于數(shù)據(jù)眼（data eye）中央時(shí)鐘和DDR計(jì)時(shí)的特定應(yīng)用DLL。此外，特定應(yīng)用的 PLL也被包含在內(nèi)，以產(chǎn)生精確的DDR系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)。
ARM同時(shí)也提供一系列支持SDRAM、DDR和Mobile DDR的PrimeCell® AMBA® 3 AXI™ 和AMBA 2 AHB™動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)控制器，對(duì)于DDR2的支持也在研發(fā)之中。ARM目前可以為各種廣泛的應(yīng)用提供全面的、高性能的存儲(chǔ)控制器解決方案。
ARM Velocity DDR存儲(chǔ)接口現(xiàn)已能夠以領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝提供。ARM PrimeCell AXI靜態(tài)存儲(chǔ)控制器系列和ARM PrimeCell AHB存儲(chǔ)控制器系列也可通過(guò)授權(quán)獲得。
ARM Velocity系列產(chǎn)品針對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度最高達(dá)800Mbps的主流個(gè)人電腦和服務(wù)器中的應(yīng)用。Velocity Mobile DDR解決方案針對(duì)低功耗應(yīng)用，GDDR3解決方案則針對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度最高達(dá)1600 Mbps的圖形存儲(chǔ)接口。Velocity DDR解決方案相對(duì)于以前的產(chǎn)品具有更小的體積和更低的抖動(dòng)幅度，這將繼續(xù)幫助用戶優(yōu)化其SoC設(shè)計(jì)的功耗和尺寸，同時(shí)縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
Azul Systems芯片工程部高級(jí)總監(jiān)Paul Koike表示：“ARM DDR產(chǎn)品幫助我們降低了復(fù)雜IP開發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)；由于我們所有的接口和時(shí)鐘發(fā)生IP都是ARM開發(fā)的，所以ARM DDR產(chǎn)品在Azul全部的SoC設(shè)計(jì)中都起到了至關(guān)重要的作用。我們一直努力降低設(shè)計(jì)的尺寸，我們相信ARM為90納米互聯(lián)I/O提供了最全面的產(chǎn)品。”
存儲(chǔ)器的復(fù)雜性和對(duì)更快的速度的需求正在要求一種不同于以往純數(shù)字方式的解決手段。目前，對(duì)于混合信號(hào)解決方案的需求越來(lái)越大，以解決類似信號(hào)和電壓完整性以及阻抗不連續(xù)性等問(wèn)題。ARM經(jīng)過(guò)芯片驗(yàn)證的 擴(kuò)展的Velocity DDR解決方案為可編程終端增加了on-die termination以提高信號(hào)完整性，并擁有先進(jìn)的動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)和更高的DDR2輸入/輸出阻抗精度，確保更精確的阻抗匹配。除了這些對(duì)于先前的DDR產(chǎn)品的改進(jìn)之外，Velocity DDR解決方案還能夠方便的整合，使得設(shè)計(jì)師可以在每次設(shè)計(jì)中優(yōu)化功耗、尺寸和抖動(dòng)幅度，降低整體系統(tǒng)成本。
ARM物理IP營(yíng)銷副總裁Neal Carney表示：“SoC設(shè)計(jì)師一直在尋找能夠降低風(fēng)險(xiǎn)、實(shí)現(xiàn)無(wú)縫整合并加快開發(fā)速度的IP解決方案。ARM通過(guò)提供經(jīng)過(guò)芯片驗(yàn)證的、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DDR存儲(chǔ)接口解決方案，幫助我們的客戶加快了產(chǎn)品上市時(shí)間，并使他們?cè)谄銼oC領(lǐng)域內(nèi)保持競(jìng)爭(zhēng)力?！?
經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的ARM Velocity DDR解決方案也包括了一個(gè)全面的、按速度細(xì)分的產(chǎn)品類別，具有模擬計(jì)時(shí)的功能，例如用于數(shù)據(jù)眼（data eye）中央時(shí)鐘和DDR計(jì)時(shí)的特定應(yīng)用DLL。此外，特定應(yīng)用的 PLL也被包含在內(nèi)，以產(chǎn)生精確的DDR系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)。
ARM同時(shí)也提供一系列支持SDRAM、DDR和Mobile DDR的PrimeCell® AMBA® 3 AXI™ 和AMBA 2 AHB™動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)控制器，對(duì)于DDR2的支持也在研發(fā)之中。ARM目前可以為各種廣泛的應(yīng)用提供全面的、高性能的存儲(chǔ)控制器解決方案。
ARM Velocity DDR存儲(chǔ)接口現(xiàn)已能夠以領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝提供。ARM PrimeCell AXI靜態(tài)存儲(chǔ)控制器系列和ARM PrimeCell AHB存儲(chǔ)控制器系列也可通過(guò)授權(quán)獲得。
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