21ic訊 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL®（更長電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

賽普拉斯堪稱低功耗 SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司，提供了廣泛的 SRAM 產(chǎn)品系列（從 4 Kb到 128 Mb）。全新 128 Mb (CY62192ESL)、64 Mb (CY62182ESL) 和 32 Mb (CY62172ESL) MoBL 器件均可提供 32 位 I/O 配置，存取時間 (TAA) 為 55 納秒，并支持寬泛的電壓 (1.7V~5.5V)。上述低功耗異步 SRAM 采用賽普拉斯高性能 90 納米 R95™ CMOS 技術(shù)制造而成，并采用 14.0 x 22.0 x 2.4 毫米、符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 119 BGA 封裝。

賽普拉斯異步存儲事業(yè)部高級總監(jiān) Sunil Thamaran 指出：“如果應(yīng)用需要在 SRAM 和控制器之間傳輸大量數(shù)據(jù)，包括圖像、音頻、視頻和游戲應(yīng)用等，那么吞吐量就是一個重要的性能指標(biāo)。賽普拉斯推出全新 32 位 SRAM 器件，突顯了其始終致力于滿足該市場領(lǐng)域的高性能需求。此外，我們也已經(jīng)開始開發(fā)采用 65 納米技術(shù)的新一代高性能異步存儲器產(chǎn)品，其將進(jìn)一步降低功耗，并新增包括 ECC 在內(nèi)的高級功能。”

CY62192ESL 128 Mb、CY62182ESL 64 Mb 和 CY62172ESL 32 Mb 低功耗異步 SRAM 樣片現(xiàn)已開始向主要客戶限量供應(yīng)，并正在進(jìn)行全面的質(zhì)量驗(yàn)證。