新款F-RAM拓寬了最具能效的非易失性RAM的容量范圍，

用于關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)存儲

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出一系列4Mb串行鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)，這是業(yè)界容量最大的串行F-RAM。該款4Mb串行F-RAM擁有40-Mhz串行外設(shè)接口(SPI)，工作電壓范圍是2.0至3.6V，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式。賽普拉斯所有的F-RAM均可提供100萬億次的讀寫壽命，85˚C溫度下的數(shù)據(jù)保存時間可達(dá)十年，65˚C下則長達(dá)151年。

對于需要連續(xù)頻繁高速數(shù)據(jù)讀寫，并要求保證數(shù)據(jù)的絕對安全性的應(yīng)用而言，賽普拉斯的F-RAM是理想選擇。這一4Mb串行F-RAM系列符合關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的需要，例如工業(yè)控制和自動化、工業(yè)計量、多功能打印機、測試和測量設(shè)備，以及可穿戴醫(yī)療等。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Rainer Hoehler指出：“關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)要求高性能存儲器能夠在掉電瞬間可靠地捕獲數(shù)據(jù)。賽普拉斯的4Mb F-RAM系列是業(yè)界最高容量的串行F-RAM器件，可提供絕對的數(shù)據(jù)安全性。”

供貨情況

4Mb串行F-RAM目前正在出樣，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8EIAJ 和 8TDFN封裝方式。預(yù)計2015年第四季度量產(chǎn)。