東芝研發(fā)全球首款搭載TSV技術(shù)的16顆粒堆疊式NAND閃存

時間：2015-10-10 11:37:00

關(guān)鍵字：東芝 NAND閃存 I/O 封裝

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[導(dǎo)讀]東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運(yùn)用硅通孔(TSV)技術(shù)的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。

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東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運(yùn)用硅通孔(TSV)技術(shù)的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。

堆疊式NAND閃存的先前技術(shù)是在封裝內(nèi)運(yùn)用引線接合法連接在一起。而TSV技術(shù)利用垂直電極和貫穿硅芯片模的通孔實(shí)現(xiàn)連接。該技術(shù)支持?jǐn)?shù)據(jù)高速輸入和輸出，并降低功耗。

東芝TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)超過1Gbps的I/O數(shù)據(jù)速率，高于具有低電源電壓的任何其它NAND閃存。核心電路1.8V，I/O電路1.2V，寫入操作、讀取操作和I/O數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓慕档图s50%*2。

這款全新的NAND閃存為包括高端企業(yè)級SSD在內(nèi)的閃存應(yīng)用提供理想的低延遲、高帶寬和高IOPS/Watt解決方案。

這項(xiàng)應(yīng)用技術(shù)部分由日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)研發(fā)。

該原型的一般規(guī)格

注：

*1：截至2015年8月6日。東芝調(diào)查。

*2：與東芝當(dāng)前產(chǎn)品相比。