[導讀]東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運用硅通孔(TSV)技術的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
東芝公司今日宣布研發(fā)全球首款*1運用硅通孔(TSV)技術的16顆粒(最大)堆疊式NAND閃存。將于8月11日至13日在美國圣克拉拉舉行的2015年閃存峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
堆疊式NAND閃存的先前技術是在封裝內(nèi)運用引線接合法連接在一起。而TSV技術利用垂直電極和貫穿硅芯片模的通孔實現(xiàn)連接。該技術支持數(shù)據(jù)高速輸入和輸出，并降低功耗。
東芝TSV技術實現(xiàn)超過1Gbps的I/O數(shù)據(jù)速率，高于具有低電源電壓的任何其它NAND閃存。核心電路1.8V，I/O電路1.2V，寫入操作、讀取操作和I/O數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓慕档图s50%*2。
這款全新的NAND閃存為包括高端企業(yè)級SSD在內(nèi)的閃存應用提供理想的低延遲、高帶寬和高IOPS/Watt解決方案。
這項應用技術部分由日本新能源和工業(yè)技術開發(fā)組織(NEDO)研發(fā)。
該原型的一般規(guī)格
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封裝類型 |
NAND Dual x8 BGA-152 |
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存儲容量(GB) |
128GB |
256GB |
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棧數(shù)： |
8 |
16 |
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外形尺寸 （毫米） |
寬 |
14mm |
14mm |
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長 |
18mm |
18mm |
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高 |
1.35mm |
1.90mm |
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接口 |
Toggle DDR |
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注：
*1：截至2015年8月6日。東芝調查。
*2：與東芝當前產(chǎn)品相比。
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