德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現業(yè)內最低，比傳統(tǒng)60-V負載開關低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。

CSD18541F5金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)保持典型的54-mΩ導通電阻(Rdson)，其設計與優(yōu)化的目的是取代空間受限的工業(yè)負載開關應用中的標準小信號MOSFET。這種微型連接盤網格陣列(LGA)封裝的焊盤間距為0.5-mm，易于安裝。

CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET™技術方案組合的新成員，擁有高電壓及生產友好型占位面積。請下載設計綜述，了解有關LGA封裝的詳細信息。

CSD18541F5主要特點和優(yōu)勢

· 10-V柵源 (VGS)的超低54-mΩ Rdson比傳統(tǒng)60-V負載開關減小90%，使功耗得以降低。

· 超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統(tǒng)負載開關尺寸減小80%，使印刷電路板 (PCB) 的空間得以降低。

· 生產友好型0.5-mm焊盤間距。

· 集成靜電放電(ESD)保護二極管可防止MOSFET柵過壓。

封裝和供貨

CSD18541F5內置于3針LGA封裝，目前可由TI及其授權分銷商批量供貨(單位數量1,000)。請下載PSpice瞬態(tài)模型。