該技術(shù)應(yīng)用在ZETA® G3噴霧清洗平臺上


（2006年3月20日）-- FSI國際有限公司（Nasdaq: FSII）面向全球發(fā)布全新的ViPR™技術(shù)。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)省去了絕大多數(shù)已注入光刻膠去除所需的灰化工藝步驟，包括1x1017  離子/ 厘米2  等離子摻雜(PLAD)光刻膠。這項(xiàng)ViPR技術(shù)適用于FSI全新的ZETA® G3噴霧清洗平臺。

通過省去了大約80%的前段（FEOL）灰化步驟，F(xiàn)SI為集成電路制造商提供了一套減少表面損害、材料損失、制造周期時間和資金投入的全面解決方案。隨著已注入光刻膠的應(yīng)用不斷上升，而與此同時可允許的材料損失和表面損壞水平程度不斷下降，IC制造過程中的光刻膠去除已經(jīng)成為整個產(chǎn)業(yè)界的挑戰(zhàn)。FSI認(rèn)為ViPR技術(shù)在65和45nm制造工藝中會成為必需的技術(shù)，而且在目前的90nm制造工藝中會有所采納應(yīng)用。

ViPR工藝?yán)昧薋SI特有的化學(xué)試劑混合、傳送和溫度控制技術(shù)，能夠去除高度注入光刻膠。正是FSI的 ZETA噴霧處理系統(tǒng)獨(dú)特的設(shè)計(jì)性能，使這個新工藝得以實(shí)現(xiàn)。濕法去除高度注入的光刻膠在浸泡或單晶圓清洗平臺上僅僅取得有限的成功。

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“我們的ViPR技術(shù)擴(kuò)展了我們在灰化后清洗領(lǐng)域的能力，并擴(kuò)大了我們服務(wù)的光刻膠去除市場?！盕SI董事會主席兼首席執(zhí)行官 Don Mitchell說，“我們和一些關(guān)鍵客戶聯(lián)合開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并且很高興能為IC制造商提供通過減少材料損失和表面損壞、縮短加工周期和降低成本而增強(qiáng)其競爭優(yōu)勢的工藝方案。首批帶ViPR技術(shù)的ZETA G3系統(tǒng)在3月已經(jīng)發(fā)貨，將進(jìn)行工藝優(yōu)化、整和和認(rèn)證?！?

ZETA G3平臺建立在上一代的ZETA系統(tǒng)能力之上， 提供了IC制造商更好的性能和更高的產(chǎn)能。ZETA G3是ViPR技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)的唯一硬件平臺，而且在許多應(yīng)用中，它裝備的加強(qiáng)型機(jī)器人能夠增加20%的產(chǎn)量。ZETA G3平臺專為300毫米批量噴霧前段（FEOL）和后段（BEOL）清洗工藝而設(shè)計(jì)，并經(jīng)過了90nm、65nm和45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的驗(yàn)證。

ZETA系統(tǒng)采用了帶超靈活化學(xué)試劑傳送技術(shù)的離心噴霧方案，可以按照所需的成分和溫度來制備直接分發(fā)在晶圓之上的化學(xué)品。ZETA系統(tǒng)被證實(shí)具有廣泛的應(yīng)用范圍，包括自對準(zhǔn)金屬氧化物結(jié)構(gòu)中鈷和鎳刻蝕、光刻膠去除和灰化后清洗、無超聲微粒去除和晶圓回收。另外，為了幫助IC制造商在65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)自對準(zhǔn)氧化物結(jié)構(gòu)，F(xiàn)SI為鎳鉑薄膜開發(fā)了PlatNiStrip™工藝。