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[導(dǎo)讀]近日,Arm宣布旗下Arm®Artisan®物理IP將應(yīng)用于臺積電基于Arm架構(gòu)的SoC設(shè)計22nm超低功耗(ULP)和超低漏電(ULL)平臺。臺積電22nmULP/ULL技術(shù)針對主流移動和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化,與上一代臺積電28nm HPC+平臺相比,在提升基于Arm的SoC性能的同時,更顯著降低功耗和硅片面積。

近日,Arm宣布旗下Arm®Artisan®物理IP將應(yīng)用于臺積電基于Arm架構(gòu)的SoC設(shè)計22nm超低功耗(ULP)和超低漏電(ULL)平臺。臺積電22nmULP/ULL技術(shù)針對主流移動和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化,與上一代臺積電28nm HPC+平臺相比,在提升基于Arm的SoC性能的同時,更顯著降低功耗和硅片面積。

“本次發(fā)布的下一代工藝技術(shù)能夠以更低的功耗、在更小的面積上滿足更多的功能需求,”Arm物理設(shè)計事業(yè)群總經(jīng)理Gus Yeung指出,“Artisan物理IP與臺積電22nmULP/ULL技術(shù)的設(shè)計和制造成本優(yōu)勢相結(jié)合,將為我們雙方的合作伙伴帶來立竿見影的每毫瓦運(yùn)算性能提升及硅片面積縮減兩方面優(yōu)勢。”

針對臺積電22nmULP/ULL工藝技術(shù)推出的Artisan物理IP包含了代工廠支持的內(nèi)存編譯器,針對下一代邊緣計算設(shè)備的低泄漏和低功耗要求進(jìn)行了優(yōu)化。除此之外,這些編譯器還附有超高密度和高性能的物理IP標(biāo)準(zhǔn)單元庫,其中含有電源管理套件和厚柵氧化物元件庫,以協(xié)助優(yōu)化低泄漏功耗。另外,最新的物理IP還提供了通用I/O解決方案,以確保性能、功耗和面積(PPA)的全面最優(yōu)化。

臺積電設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)市場部高級總監(jiān)李碩表示:“Artisan 物理 IP使臺積電能夠加速流片(tape-out)時間,從而以更快的速度將針對主流物聯(lián)網(wǎng)和移動設(shè)備設(shè)計的尖端SoC推向市場?;陔p方在28nmHPC+平臺合作上的成功,臺積電和Arm不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化,進(jìn)而為雙方的合作伙伴提供在更多設(shè)備上實現(xiàn)更優(yōu)邊緣計算體驗的可能。”

Arm物理IP是一套廣受信賴并已獲廣泛應(yīng)用的解決方案,每年由Arm合作伙伴出貨的集成電路(IC)超過100億個。臺積電22nmULP/ULL工藝技術(shù)針對Arm物理IP的整合目前正在積極推進(jìn)之中,致力于在2018年下半年為雙方共同的芯片合作伙伴實現(xiàn)流片(tape-out)。

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