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[導讀]21ic訊 Holtek針對Power Bank領域,推出了1.5代Power Bank Flash版本的MCU HT45F4N、HT45FH4N,與第1代的Power Bank MCU相比,增加了更多的資源及更多的腳位,更適合Power Bank帶LED數(shù)碼管及LCD屏顯示等應用。HT45

21ic訊 Holtek針對Power Bank領域,推出了1.5代Power Bank Flash版本的MCU HT45F4N、HT45FH4N,與第1代的Power Bank MCU相比,增加了更多的資源及更多的腳位,更適合Power Bank帶LED數(shù)碼管及LCD屏顯示等應用。

HOLTEK新推出HT45F4N、HT45FH4N Power Bank Flash MCU" />

HT45F4N、HT45FH4N具備4K x 16 Flash Program ROM、192 Byte Data RAM、64 Byte Data EEPROM、工作電壓2.55V ~ 5.50V、系統(tǒng)頻率可選最佳為30MHz/4,內建精準RC Oscillator (HIRC 30MHz),內建14個通道12-bit ADC、3個10-bit PTM,其中2個用于產生互補式PWM輸出,可用于2路獨立的DC to DC升壓及降壓等應用、1個16-bit CTM Timer、1個過電壓及欠壓保護電路、2個過電流保護電路、LVD與LVR用于偵測系統(tǒng)電壓,若系統(tǒng)電壓低于LVR值時系統(tǒng)將產生重置,以避免系統(tǒng)工作電壓低于操作電壓可能造成的不穩(wěn)定狀態(tài)。

HT45F4N、HT45FH4N針對Power Bank應用,可完整支持電池充電及放電功能?;パa式PWM輸出則是用來直推外部PMOS及NMOS,提供電池在充放電的過程中,可以做到同步整流的功能,使功耗的損失降至最低,因而提升Power Bank的效率。

HT45FH4N額外提供內部5V LDO輸出,且其互補式PWM輸出則可透過Level Shift轉換輸出到高壓,用于驅動外部PMOS及NMOS,降低PMOS及NMOS的導通阻抗。

HT45F4N、HT45FH4N提供28SSOP封裝,對于Power Bank應用非常適合,且本產品如同Holtek其他8-bit MCU,具有符合工業(yè)規(guī)格與高抗噪聲特性。

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