同級最高的閃存容量，最大容量高達(dá)512KB

21ic訊 意法半導(dǎo)體STM32 L1系列超低功耗ARM® Cortex®-M3 32位微控制器新增一款512KB閃存產(chǎn)品。目前L1系列共有三個產(chǎn)品線合70余款產(chǎn)品，其超低功耗和存儲容量的組合在市場上堪稱獨(dú)一無二，閃存和RAM最大容量分別高達(dá)512KB和80KB。

新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的超低泄漏電流的110納米CMOS制造工藝和優(yōu)化的系統(tǒng)架構(gòu)，工作能耗極低，目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)高成本效益的嵌入式設(shè)計，適用于健身、醫(yī)療、穿戴式設(shè)備和工業(yè)/電表等電池供電的聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

L1系列的主要特性：

· 高性能ARM Cortex-M3 32位內(nèi)核：在32MHz時高達(dá)33 DMIPS;

· 引腳對引腳和軟件與上一代STM32 L系列兼容;

· 在32MHz時，運(yùn)行模式動態(tài)功耗257µA/MHz;在4MHz時，低至177µA/MHz;

· 兩個超低功耗模式：在SRAM內(nèi)容保留時，功耗低至435nA;

· 真正的嵌入式EEPROM;

· 雙區(qū)閃存，RWW讀寫同步功能使其支持具有失效保護(hù)功能的固件快速更新和恢復(fù)。

新產(chǎn)品繼承STM32 L1優(yōu)勢，包括電壓調(diào)節(jié)、靈活的時鐘樹內(nèi)置低功耗多速內(nèi)部振蕩器(multi-speed internal，MSI)和-40°C 至+85°C的工作溫度范圍，低工作模式下工作溫度高達(dá)105°C，同時意法半導(dǎo)體的新110納米制造工藝在 25°C至+105°C溫度范圍內(nèi)取得工業(yè)最小的功耗變化。

為加快軟硬件開發(fā)，STM32 L1 512KB配備一個STM32 Nucleo擴(kuò)展板。新的原型開發(fā)板具有 mbed[1] 功能，支持Arduino[2] 接口，同時還提供意法半導(dǎo)體 Morpho[3] 擴(kuò)展排針，可連接微控制器的所有片上周邊外設(shè)。

作為STM32產(chǎn)品系列的一員，新產(chǎn)品充分利用了意法半導(dǎo)體為上一代超低功耗產(chǎn)品開發(fā)的所有軟件庫和開發(fā)工具，方便設(shè)計人員輕松移植現(xiàn)有應(yīng)用。

STM32L151、STM32L152和STM32L162三個系列現(xiàn)已量產(chǎn)。

[1] 作為一個產(chǎn)業(yè)合作項目， ARM mbed™提供免費(fèi)的工具和關(guān)鍵開源軟硬件模塊，加快創(chuàng)新的ARM微控制器的市場發(fā)展。

[2] 在Arduino開源電子原型開發(fā)平臺內(nèi)，微控制器電路板的特性是配置用于連接特殊功能板(shields)的標(biāo)準(zhǔn)排針。Arduino和第三方開發(fā)商提供各種特殊功能板。

[3] 意法半導(dǎo)體開發(fā)的擴(kuò)展排針準(zhǔn)許板外連接。