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[導(dǎo)讀]Holtek推出全新的Power Bank ASSP Flash MCU - HT45F5N/ HT45FH5N,除延續(xù)前一代產(chǎn)品優(yōu)勢,內(nèi)建硬件過電流/過電壓/欠電壓保護(hù)之外,內(nèi)建±1%基準(zhǔn)電壓源,可節(jié)省外圍零件,節(jié)省產(chǎn)品PCB尺寸。

 

HOLTEK推出HT45F5N/FH5N Power Bank ASSP Flash MCU

Holtek推出全新的Power Bank ASSP Flash MCU - HT45F5N/ HT45FH5N,除延續(xù)前一代產(chǎn)品優(yōu)勢,內(nèi)建硬件過電流/過電壓/欠電壓保護(hù)之外,內(nèi)建±1%基準(zhǔn)電壓源,可節(jié)省外圍零件,節(jié)省產(chǎn)品PCB尺寸。全系列提供QFN封裝,非常適合開發(fā)輕薄型Power Bank機(jī)種,在移動(dòng)電源產(chǎn)品上可支持Type A & Micro-B & Type C三種USB接口。

HT45F5N/FH5N Power Bank ASSP Flash MCU

HT45F5N/FH5N皆擁有2組互補(bǔ)式PWM,可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立兩路升降壓管理,并且可支持Type C輸入輸出偵測,達(dá)成Type C口充電/放電雙向功能。此外,將PWM頻率提升到500kHz,且Duty分辨率為8-bit,降低外部電感電容達(dá)1倍以上,有效降低輸出紋波,并且支持自動(dòng)調(diào)節(jié)PWM Duty,動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間不受軟件限制。

HT45FH5N除包含上述優(yōu)點(diǎn)外,內(nèi)建一組LDO與2根高壓MOS Driver,搭配PWM性能提升以及內(nèi)建快充識(shí)別,可支持各廠家快充規(guī)范,可達(dá)成5V~12V,0.2V/Step的升降壓管理。封裝規(guī)格HT45F5N為32-pin QFN,HT45FH5N為46-pin QFN;Holtek另外提供完整Source Code,搭配OCDS EV HT45V5N/VH5N,使開發(fā)上更方便且快速。

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