[導讀]恩智浦半導體（NXP Semiconductors）（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）發(fā)布了BFU725F微波NPN晶體管，這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）發(fā)布了BFU725F微波NPN晶體管，這是一系列硅基分立器件解決方案中的第一款產(chǎn)品。BFU725F具有高開關頻率、高增益和超低噪音等多重特點，使其成為各種RF應用的理想解決方案。超低噪聲可以改善各種無線設備（例如GPS系統(tǒng)、DECT電話、衛(wèi)星無線電設備、WLAN/CDMA應用）中靈敏的RF接收器的接收效果，而超高斷開頻率則可以很好地滿足運行頻率在10 GHz到30 GHz以內(nèi)的各種應用（例如衛(wèi)星低噪音電路塊）的需求。
為解決當今設備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題，BFU725F晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳（SiGeC）工藝技術，該工藝還用于開發(fā)單片IC和寬帶晶體管。
除已經(jīng)上市的解決方案外，包括TFF1004HN（用于衛(wèi)星低噪音電路塊的高度集成IC）和BFU725F微波晶體管，恩智浦正在開發(fā)其他幾種硅基寬帶晶體管和MMIC（單片微波IC），預計將于今年年底和2008年年初面世。
BFU725F符合RoHS標準，可達到極低的噪音（1.8 GHz時0.43 dB / 5.8 GHz時0.7 dB）和很高的最大穩(wěn)定增益（1.8 GHz時27 dB / 18 GHz時10 dB）。獨有特點包括高達fT 70 GHz的開關頻率并封裝在SOT343F塑料表面貼裝封裝包中。
恩智浦的BFU725F微波晶體管現(xiàn)已大批量上市。
為解決當今設備的性能需求和生產(chǎn)商考慮的成本問題，BFU725F晶體管在開發(fā)時使用了恩智浦用于分立器件的硅鍺碳（SiGeC）工藝技術，該工藝還用于開發(fā)單片IC和寬帶晶體管。
除已經(jīng)上市的解決方案外，包括TFF1004HN（用于衛(wèi)星低噪音電路塊的高度集成IC）和BFU725F微波晶體管，恩智浦正在開發(fā)其他幾種硅基寬帶晶體管和MMIC（單片微波IC），預計將于今年年底和2008年年初面世。
BFU725F符合RoHS標準，可達到極低的噪音（1.8 GHz時0.43 dB / 5.8 GHz時0.7 dB）和很高的最大穩(wěn)定增益（1.8 GHz時27 dB / 18 GHz時10 dB）。獨有特點包括高達fT 70 GHz的開關頻率并封裝在SOT343F塑料表面貼裝封裝包中。
恩智浦的BFU725F微波晶體管現(xiàn)已大批量上市。
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