在顯示器技術國際學會“16th International Display Workshops（IDW 09）”的氧化物TFT分會上，夏普就首次試制的氧化物TFT液晶面板進行了技術發(fā)表。日本的大型廠商追趕面板試制開發(fā)處于領先地位的韓國廠商，這對日本未來的發(fā)展是一件值得欣喜的事情。在開發(fā)者見面會（Authors interview）上演示的2.6英寸QVGA（320×240像素）面板的完成度也很高，由此可以看出夏普為開發(fā)該產品進行了全力投入。

　圖為夏普開發(fā)的氧化物TFT液晶面板

TFT結構為傳統的反向通道蝕刻（Back Channel Etch）型。氧化物半導體采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。

特性偏差方面，通過對320mm×400mm底板上的21個點進行測量，遷移率μ＝13.4±0.9cm2/Vs（σ＝0.5），閾值電壓Vth＝3.0±0.4V（σ＝0.2）。對于人們關心的可靠性，夏普稱基于DC偏壓應力的Vth偏移在25℃下為非晶硅（a-Si）TFT的1/4左右程度，在85℃下是其1/10左右?；诿}沖偏壓的Vth偏移在60℃下為a-Si TFT的70％左右。該公司稱，作為液晶面板工作時，在60℃條件下，其TFT特性1000小時內不會發(fā)生變化。

另外，夏普還介紹說，利用該IGZO TFT試制出了與前一天發(fā)布的微晶硅TFT液晶面板相同的微晶硅TFT12.1英寸WXGA面板，并進行了現場演示。遺憾的是該公司并沒有在開發(fā)者見面會上進行演示，面板的參數如下：

從面板的特性及可靠性方面來看，雖然內置掃描驅動電路及多路分配器（DeMUX：De-multiplexer）電路的難度較高，但不久的將來也有可能實現。此次的技術發(fā)布中提到了論文中沒有提及的面板，這說明開發(fā)速度非?？?，今后還有望開發(fā)出新面板。 (編輯：小舟）