安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，在其高線性度E-pHEMT (增強模式偽形態(tài)高電子遷移率晶體管) FETs (場效應管) 產(chǎn)品系列中增加兩款采用4.5 mm x 4.1 mm x 1.5 mm行業(yè)標準表面封裝的SOT-89新產(chǎn)品。通過采用行業(yè)標準封裝，安捷倫新推出的ATF-52189和ATF-53189及早先推出的ATF-50189單電壓E-pHEMT FET進一步簡化了將50 MHz - 6 GHz基站升級到更高通道容量的工作。

    安捷倫科技半導體產(chǎn)品事業(yè)部推出的ATF-52189和ATF-53189是為發(fā)射器的功放器和接收器的低噪聲放大器而設計的，可以用于工作頻率在450 MHz - 6 GHz的蜂窩和PCS基站、低地面軌道衛(wèi)星系統(tǒng)、陸上多通道多點分布系統(tǒng)(MMDSs)及其它通信應用領域。

    ATF-52189在2 GHz時，其三階輸出攔截點 (OIP3) 為42 dBm，這成就了一個高效的放大器，能夠處理大量的語音和數(shù)據(jù)通道。在2 GHz時，其它技術參數(shù)包括27 dBm的典型線性輸出功率(P1dB)、16 dB的增益和55%的功率加效率(PAE)以及1.5 dB的噪聲系數(shù)等。典型工作偏置在200 mA時為4.5 V。因此，特別適用于中等功率、高線性度的發(fā)射器驅動器或預驅動放大器。

    ATF-53189具有更低的噪聲系數(shù) (0.85 dB) ，40 dBm的OIP3, 23 dBm的P1dB, 15.5 dB的增益和46%的PAE。典型工作偏置在135 mA時為4.0 V。這使其成為了接收器前端階段低噪聲、高線性度放大器的首選，也適用于中等功率、高線性度發(fā)射器驅動器或預驅動放大器。

    ATF-52189和ATF-53189采用E-pHEMT工藝，具有杰出的性能一致性及300年以上的單點平均故障間隔時間 (MTTF)。這些器件采用無引線封裝，額定的潮濕靈敏度等級為1級(MSL1)。

    安捷倫一直是業(yè)內唯一一家提供單電壓操作的E-pHEMT器件的廠商。由于其單電壓操作、高效率和杰出的RF性能特點，安捷倫E-pHEMT器件成為了取代噪聲系數(shù)更高的單電壓HBT (異質結兩極晶體管)及傳統(tǒng)的雙電壓PHEMT和GaAs HFET (異質結構FET)器件的必然選擇。