21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前發(fā)布用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設(shè)計指南，這些系統(tǒng)以公司獨(dú)有的數(shù)字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產(chǎn)、光學(xué)器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術(shù)刀和感應(yīng)加熱等系統(tǒng)中。

這些模塊將RF驅(qū)動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達(dá)40 MHz的頻率發(fā)送1 ~ 3kW功率。設(shè)計指南還為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了包括元器件選擇、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計、優(yōu)化輸出功率、效率最大化、散熱設(shè)計等各種RF設(shè)計技巧，并針對構(gòu)建完整的RF發(fā)生器所需的電路拓?fù)涮峁┚唧w建議。

美高森美MOSRF產(chǎn)品部營銷總監(jiān)Glenn Wright表示：“我們的DRF系列產(chǎn)品同傳統(tǒng)的低壓RF系統(tǒng)相比具有更加突出的技術(shù)優(yōu)勢。這些優(yōu)勢體現(xiàn)在能夠解決復(fù)雜的設(shè)計難題，減小系統(tǒng)體積、提高功率密度和可靠性，并降低總體系統(tǒng)成本，適合各種工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)方面的應(yīng)用。”

美高森美DRF產(chǎn)品系列將最多兩個RF驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET及相關(guān)的退耦電容集成在單一封裝中。驅(qū)動器IC和MOSFET緊密接近，極大的降低了電路電感，同時可提供比分立元件解決方案更高的系統(tǒng)性能，以及實現(xiàn)多種電路配置和系統(tǒng)拓?fù)?。該模塊專為提供連續(xù)的功率、 Class D和E與脈沖功率應(yīng)用而設(shè)計，僅需5V邏輯電平輸入信號，即可發(fā)射高達(dá)3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨(dú)特的無法蘭封裝技術(shù)，成本比傳統(tǒng)替代解決方案更低，而且進(jìn)一步改善系統(tǒng)性能。

美高森美現(xiàn)提供DRF產(chǎn)品系列的設(shè)計指南和其它開發(fā)工具和技術(shù)支持服務(wù)，包括SPICE模型，參考設(shè)計工具套件和應(yīng)用說明。