21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司和Richardson RFPD日前宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術(shù)中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品系列——包括放大器、晶體管和開(kāi)關(guān)。TriQuint GaN解決方案可提高射頻效率、降低總成本和增強(qiáng)系統(tǒng)堅(jiān)固性。

TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)者，并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過(guò)廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列，和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務(wù)，繼續(xù)保持其在高功率射頻半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。憑借其安全可靠的美國(guó)工廠(chǎng)在集成和封裝單個(gè)與多個(gè)晶粒方面的獨(dú)特能力的支持，TriQuint致力于提供世界級(jí)、從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新，包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。

通過(guò)Richardson RFPD提供的TriQuint 氮化鎵產(chǎn)品包括放大器、晶體管和開(kāi)關(guān)。TriQuint的氮化鎵產(chǎn)品提供無(wú)可比擬的HPA性能; 這些產(chǎn)品具有高功率密度、卓越的增益和效率等特點(diǎn)。另外它們還具有穩(wěn)健的工作、長(zhǎng)脈沖能力以及高工作電壓的特點(diǎn)，從而幫助減小系統(tǒng)電流。TriQuint的氮化鎵產(chǎn)品提供55W至3.5GHz、40W至6GHz、20W至12GHz和10W至18GHz的功率，可滿(mǎn)足高功率要求，

“TriQuint正在推動(dòng)前沿的高頻/高功率氮化鎵研究工作。我們的內(nèi)部產(chǎn)品開(kāi)發(fā)項(xiàng)目正在開(kāi)發(fā)多種新商業(yè)產(chǎn)品。今天，我們推出了由TriQuint的高性能技術(shù)領(lǐng)先地位支持的氮化鎵產(chǎn)品”，TriQuint半導(dǎo)體公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺表示。

“全球市場(chǎng)對(duì)氮化鎵技術(shù)的需求還在不斷增長(zhǎng)，TriQuint是從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新，包括分立晶體管、放大器和開(kāi)關(guān)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者”，Richardson RFPD戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)David Silvius表示，“氮化鎵技術(shù)中心為工程師提供了與TriQuint氮化鎵有關(guān)的所有產(chǎn)品一站式服務(wù)的支持的單一定位，其中并包括利用Richardson RFPD的設(shè)計(jì)支持服務(wù)的能力。”