新芯片組專為隔離式或非隔離式DC-DC轉換器應用而設計,可提升系統(tǒng)層面的電源性能,如220W以下系統(tǒng)主機板的大型48V轉換,或用以驅動基站系統(tǒng)的無線電放大器。
IR2086S 控制器集成電路采用初級全橋布置,可簡化隔離式DC-DC轉換器電路。它特別針對總線轉換器應用進行優(yōu)化,并采用自振式50% 固定工作周期。相比于業(yè)界標準的四分之一磚設計,該芯片組能有效節(jié)省多達50% 的電路板空間,并可減少60% 的組件數目。
IR2086S設有一個集成軟啟動電容器,能在2,000余個周期內把工作周期逐步增加至50%,以限制在啟動階段輸入的電流;同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端MOSFET保持相同的脈沖寬度。
新器件的其它特點包括自恢復電流限制保護、(1.2A柵驅動電流及50 - 200毫微秒的可調停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達500kHz的可編程開關頻率。
設計師可從100V IRF6644或IRF6655、40V IRF6613或IRF6614四種DirectFET MOSFET選擇所需產品,組成完整的芯片組。這些MOSFET采用IR最新技術及DirectFET封裝,能大幅優(yōu)化導通電阻、柵電荷等重要器件指標。
由于器件溫度更低,因此無需在初級部分添加并行器件,即可滿足更高電流要求。整體而言,IRF6644可提升約46% 輸出功率,并有助于平衡轉換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數的其它方案,IRF6644的導通電阻降低了約48%。
IRF6644的組合式導通電阻與柵電荷的主要指標 優(yōu)于同類方案45%。其導通電阻與兩個傳統(tǒng)元件的并聯(lián)效果相當。在一些特定的輸入輸出電壓比要求下,次級同步整流布置結構可采用IR 40V IRF6613 DirectFET MOSFET,較30V器件可提供33%的電壓裕量,而效率則相差不到1%。
上述新器件現(xiàn)已投入供應。
21IC器件搜索





