Fairchild小尺寸互補(bǔ)對稱MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出最小尺寸的互補(bǔ)對稱MOSFET解決方案，為微型“點(diǎn)”功率應(yīng)用和負(fù)載點(diǎn) (POL) DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供高于1A的持續(xù)電流。FDC6020C將兩個MOSFET集成于一個超小型的SuperSOT™-6 FLMP封裝 (倒裝導(dǎo)模封裝) 中；而傳統(tǒng)的解決方案必須采用兩個單獨(dú)器件或一個較大型封裝，才能獲得類似的高性能特性。
FDC6020C具有卓越的熱性能和高效率特性，適用于機(jī)頂盒、數(shù)碼相機(jī)和硬盤驅(qū)動器等產(chǎn)品。該器件的低壓門限 (VGS = 2.5 V) 可簡化采用3.3 V總線轉(zhuǎn)換器或單節(jié)鋰離子電池供電的設(shè)計(jì)。當(dāng)沒有高門驅(qū)動電壓時，F(xiàn)DC6020C更可免去充電泵電路的需要，以達(dá)到此目的。此外，該器件的每一個MOSFET都具有優(yōu)良的RDS(on)特性 (在4.5V時， P溝道為52毫歐，N溝道為27毫歐)。FDC2060C的結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗 (1 ° C/W) 及結(jié)點(diǎn)至周邊環(huán)境熱阻抗 (68° C/W) 有助達(dá)到最高的電流密度，并同時維持最佳的工作溫度。
FDC6020C采用SuperSOT™-6 FLMP封裝，其面積只有9mm2，最大側(cè)高為0.8mm。這種先進(jìn)的封裝形式無須傳統(tǒng)的金屬線連接，不但提供低電阻抗，而且可以維持所需的關(guān)鍵性機(jī)械公差特性，使到晶片反面和封裝反面共面。這種共面結(jié)構(gòu)在PCB和MOSFET晶片 (漏極連接) 之間提供低熱阻抗通路。
這種無鉛產(chǎn)品能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合將于2005年生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
FDC6020C擴(kuò)充了飛兆半導(dǎo)體的DC/DC轉(zhuǎn)換產(chǎn)品系列，包括Microcouplers™ 、光隔離誤差放大器 (FOD27XX)、快速恢復(fù)二極管和PWM控制器等。
價格: FDC6020器件每個0.76美元 (訂購1, 000個)
供貨: 現(xiàn)貨
交貨期: 收到訂單后8周內(nèi)
FDC6020C具有卓越的熱性能和高效率特性，適用于機(jī)頂盒、數(shù)碼相機(jī)和硬盤驅(qū)動器等產(chǎn)品。該器件的低壓門限 (VGS = 2.5 V) 可簡化采用3.3 V總線轉(zhuǎn)換器或單節(jié)鋰離子電池供電的設(shè)計(jì)。當(dāng)沒有高門驅(qū)動電壓時，F(xiàn)DC6020C更可免去充電泵電路的需要，以達(dá)到此目的。此外，該器件的每一個MOSFET都具有優(yōu)良的RDS(on)特性 (在4.5V時， P溝道為52毫歐，N溝道為27毫歐)。FDC2060C的結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗 (1 ° C/W) 及結(jié)點(diǎn)至周邊環(huán)境熱阻抗 (68° C/W) 有助達(dá)到最高的電流密度，并同時維持最佳的工作溫度。
FDC6020C采用SuperSOT™-6 FLMP封裝，其面積只有9mm2，最大側(cè)高為0.8mm。這種先進(jìn)的封裝形式無須傳統(tǒng)的金屬線連接，不但提供低電阻抗，而且可以維持所需的關(guān)鍵性機(jī)械公差特性，使到晶片反面和封裝反面共面。這種共面結(jié)構(gòu)在PCB和MOSFET晶片 (漏極連接) 之間提供低熱阻抗通路。
這種無鉛產(chǎn)品能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合將于2005年生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
FDC6020C擴(kuò)充了飛兆半導(dǎo)體的DC/DC轉(zhuǎn)換產(chǎn)品系列，包括Microcouplers™ 、光隔離誤差放大器 (FOD27XX)、快速恢復(fù)二極管和PWM控制器等。
價格: FDC6020器件每個0.76美元 (訂購1, 000個)
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