IR近日推出專為每個通道高達(dá)500W的D類音頻應(yīng)用開發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時間、雙向過流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外,這些特性還可以使音頻設(shè)計師簡化電路并減少家庭影院娛樂系統(tǒng)、影音接收機(jī)和汽車音響系統(tǒng)中D類音頻放大器的元件數(shù)量。
內(nèi)置的可選死區(qū)時間生成電路可對穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償,并具有噪聲和電源電壓波動免疫功能,以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能,在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線短路等過流狀況時保護(hù)輸出MOSFET。
IR消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出:“使用這一新型D類音頻集成電路來驅(qū)動音頻MOSFET(如IRF6665),電路設(shè)計人員可以減少系統(tǒng)占板空間,改進(jìn)PCB布局,降低EMI和改善熱特性?!?
譚先生認(rèn)為,“D類音頻電路需要承受高頻開關(guān)的高電壓變化,IR專門為開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音頻性能?!?
內(nèi)置的可選死區(qū)時間生成電路可對穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償,并具有噪聲和電源電壓波動免疫功能,以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能,在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線短路等過流狀況時保護(hù)輸出MOSFET。
IR消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出:“使用這一新型D類音頻集成電路來驅(qū)動音頻MOSFET(如IRF6665),電路設(shè)計人員可以減少系統(tǒng)占板空間,改進(jìn)PCB布局,降低EMI和改善熱特性?!?
譚先生認(rèn)為,“D類音頻電路需要承受高頻開關(guān)的高電壓變化,IR專門為開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音頻性能?!?





