[導讀]飛兆半導體公司 (Fairchild) 開發(fā)出新的低導通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列,專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應用的DPAK (TO-252) 器件需求而設計。
飛兆半導體公司 (Fairchild) 開發(fā)出新的低導通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列,專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應用的DPAK (TO-252) 器件需求而設計。飛兆半導體DPAK封裝的 SuperFET器件的導通阻抗僅為傳統(tǒng)Planar型MOSFET的三分之一 (0.6 ~ 1.2 Ohm),能滿足高頻照明系統(tǒng)設計的系統(tǒng)效率需求且將開關和傳導損耗減至最小。這些器件還可以承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關瞬態(tài)響應,能在高頻鎮(zhèn)流器中可靠的工作。
一般而言,當標準MOSFET的擊穿電壓增大時,其導通阻抗RDS(on) 將隨之呈指數(shù)級增長,并導致芯片尺寸增大。飛兆半導體專有的SuperFET 技術則將RDS(on)與芯片尺寸的這種指數(shù)關系變?yōu)榫€性關系,這使SuperFET器件獲得非常出色的RDS(on) 和很小的芯片尺寸,甚至在600V擊穿電壓下亦然。飛兆半導體采用DPAK封裝的SuperFET器件是這種先進封裝技術的最新成果。
飛兆半導體功能功率部副總裁Taehoon Kim表示:“DPAK封裝器件是我們的SuperFET 產(chǎn)品系列的最新成員,專為滿足照明系統(tǒng)制造商對提高能源效率和減少占位空間的要求而設計。利用我們專有的SuperFET技術,可以獲得極低的導通阻抗以減小MOSFET芯片尺寸,并實現(xiàn)600V/0.6 Ohm的 DPAK封裝產(chǎn)品。相比之下,通常用于照明應用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件則采用較大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封裝。飛兆半導體的DPAK SuperFET技術為我們的客戶提供了采用更緊湊封裝的低導通阻抗器件,從而滿足了市場對纖小化電子鎮(zhèn)流器不斷增長的需求。”
除了用于鎮(zhèn)流器的DPAK封裝器件外,飛兆半導體針對照明、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和 AC/DC電源系統(tǒng)提供全面的SuperFET產(chǎn)品系列。
飛兆半導體為照明總體解決方案提供一系列產(chǎn)品。除SuperFET器件之外,這些產(chǎn)品還包括PFC 控制器、鎮(zhèn)流器控制芯片和高壓柵極驅動器。。
SuperFET MOSFET采用無鉛DPAK封裝,能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。
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LED驅動電源是把電源供應轉換為特定的電壓電流以驅動LED發(fā)光的電源轉換器,通常情況下:LED驅動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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