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Fairchild 推出功率器件解決方案

時間：2007-04-15 02:27:00

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[導讀]飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新Stealth™ II 和 Hyperfast II二極管技術，作為其專為LCD TV開關電源 (SMPS) 應用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。

    飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新Stealth™ II 和 Hyperfast II二極管技術，作為其專為LCD TV開關電源 (SMPS) 應用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的FFP08S60S 和 FFPF08S60S Stealth II二極管具有出色的軟恢復能力 (tb/ta > 1.3) 和極短的反向恢復時間 (trr < 25nS @ 600V擊穿電壓)。這些特性非常適合于在CCM (連續(xù)電流模式) 功率因數(shù)校正 (PFC) 設計中改善EMI 和 MOSFET開關損耗。同時推出的還有FFPF08H60S Hyperfast II二極管，具有很快的反向恢復時間 (trr < 35nS @ 600V擊穿電壓) 和很低的前向電壓降(Vf < 2.1V)，有助于在DCM (不連續(xù)電流模式) PFC設計中減小傳導損耗及提高能效。新Stealth II 和 Hyperfast II技術的開發(fā)是要與飛兆半導體現(xiàn)有的UniFET™ 及 SuperFET™ MOSFET技術系列相結合，并且相輔相成。這一龐大的產(chǎn)品組合提供了完整的解決方案，可以提高LCD TV電源設計的系統(tǒng)效率和可靠性，并同時降低EMI。

    LCD TV的SMPS一般工作在兩類PFC電流模式下：CCM 和 DCM。為了優(yōu)化CCM設計，飛兆半導體的新型FFP/PF08S60S Stealth II快速恢復二極管可與飛兆半導體先前推出的UniFET MOSFET同用。UniFET器件與新型的Stealth II二極管相結合，其開關損耗比較前一代產(chǎn)品可降低10%。同樣地，飛兆半導體新推出的FFPF08H60S Hyperfast II二極管也可與相同的UniFET器件共同使用，在DCM PFC工作模式下提高效率和雪崩保護能力。

    現(xiàn)在的LCD TV SMPS必須在開關模式工作中降低功耗，并同時保持系統(tǒng)性能和可靠性。飛兆半導體現(xiàn)有的SuperFET快速恢復MOSFET (FRFET) 產(chǎn)品便經(jīng)過優(yōu)化以滿足這種設計要求。結合SuperFET技術和控制少子壽命的工藝，SuperFET FRFET能夠提高體二極管的性能、對關斷電壓變化dv/dt的抗擾性，以及降低其EMI。

    全新Stealth II和Hyperfast II產(chǎn)品采用采用無鉛封裝，能達到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。

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