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[導(dǎo)讀]21ic訊 TDK集團(tuán)的分公司TDK-EPC開發(fā)了愛普科斯EP5 SMT脈沖變壓器的新系列。它們被用來連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路到轉(zhuǎn)換頻率范圍為150千赫到幾兆赫的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極晶體管。這些變壓器有許多不同的匝

21ic訊 TDK集團(tuán)的分公司TDK-EPC開發(fā)了愛普科斯EP5 SMT脈沖變壓器的新系列。它們被用來連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路到轉(zhuǎn)換頻率范圍為150千赫到幾兆赫的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極晶體管。這些變壓器有許多不同的匝比,極性和輸出供選。

由于使用了小型化的EP5磁芯,這些變壓器的尺寸只有8.1 x6.7 ×5.4立方毫米。由于一個(gè)電路通常需要用幾個(gè)變壓器,變壓器體積的縮小能有效地節(jié)省電路板的空間。由于運(yùn)用了一個(gè)特殊的纏繞技術(shù),繞組之間的寄生電容只25至95pF,具體取決于型號。雜散電感也同樣很低,介于0.9 和2.5μH之間。B82804A*系列的所有類型的短期電介質(zhì)強(qiáng)度都經(jīng)過了1500伏直流電的測試。這些組件是為高達(dá)85℃的環(huán)境溫度和高達(dá)125℃的工作溫度而設(shè)計(jì)的。其終端配置和引腳分配符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

這些新的變壓器主要應(yīng)用于半橋和全橋轉(zhuǎn)換器以及變頻器或逆變器。

術(shù)語

MOSFET: 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,耗能低是其顯著特點(diǎn)。
IGBT: 絕緣柵雙極晶體管,主要用于高功率轉(zhuǎn)換器。它們的優(yōu)點(diǎn)是能在高電流中保持低正向電壓。

主要應(yīng)用

應(yīng)用于半橋和全橋轉(zhuǎn)換器以及變頻器或逆變器的柵極驅(qū)動(dòng)電路的耦合。

主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

體積僅8.1 x 6.7 x 5.4 立方毫米
寄生電容低至25至95 pF

主要數(shù)據(jù)

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