工作溫度范圍為-40°C至125°C，有助于減少逆變電路的死區(qū)時間，提高效率

東芝公司(Toshiba Corporation今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動中等容量的IGBT或功率MOSFET。新產(chǎn)品TLP250H的最大傳輸延遲時間為500ns，光電耦合器間的傳輸延遲偏差為150ns，這樣的性能可減少逆變電路的死區(qū)時間(dead time)，提高效率。新產(chǎn)品使用了壽命超長的新LED，可支持-40°C至125°C的工作溫度。此外，該耦合器可將最低工作電壓降至10V(東芝此前型號的最低工作電壓只可降至15V)，進而有助于降低功耗。該耦合器可應(yīng)用于一系列產(chǎn)品中，包括高溫環(huán)境中使用的工業(yè)設(shè)備，家用太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)，數(shù)碼產(chǎn)品以及測量與控制儀器。該產(chǎn)品的樣品現(xiàn)已推出，并計劃于2月份投入量產(chǎn)。

應(yīng)用

IGBT/功率MOSFET門驅(qū)動器，功率調(diào)節(jié)器，通用逆變器，IH(感應(yīng)加熱)設(shè)備，等等。

主要特性

1. 工作電壓：VCC=10 - 30V

2. 傳輸延遲時間：tpLH, tpHL=500ns (最大值)

3. 傳輸延遲偏差：±150ns (最大值)

4. 寬廣的保證工作溫度范圍：Topr=-40°C - 125°C

5. 峰值輸出電流：IOP=±2.5A (最大值)

6. 低輸入電流：IFLH=5mA (最大值)

7. 隔離電壓：BVS=5000Vrms (最小值)

8. 共模瞬態(tài)抑制：CMR=±40kV/μs