低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失

21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過(guò)“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和功率管理開(kāi)關(guān)專(zhuān)用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。

主要特性

1. 采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。

2. 采用TSON Advance封裝，具有很好的導(dǎo)熱性。

3. 高雪崩電阻。

主要規(guī)格

東芝MOSFET" />