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[導(dǎo)讀]實(shí)現(xiàn)頂級(jí)1低導(dǎo)通電阻性能東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設(shè)備。作為該系列的首款產(chǎn)品,“TK14A65W&rdq

實(shí)現(xiàn)頂級(jí)1低導(dǎo)通電阻性能

東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設(shè)備。作為該系列的首款產(chǎn)品,“TK14A65W”已經(jīng)推出,并計(jì)劃于2013年8月全面投入量產(chǎn)。

東芝650V系統(tǒng)DTMOS IV系列“TK14A65W”

該系列采用最新的單外延工藝打造,其每單位面積導(dǎo)通電阻(Ron·A)較現(xiàn)有的650V“DTMOS II”系列產(chǎn)品約降低了50%2,這就使之能夠采用緊湊封裝,有助于提高功效,縮小產(chǎn)品的集成尺寸。

主要規(guī)格

注:

[1] 截至2013年7月。東芝公司的研究。

[2] 與"TK17A65U"對(duì)比。

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