高壓IGBT可減少高功率感應加熱應用中的總功率損耗和電路板面積

21ic 飛兆半導體——全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎。

這是自飛兆半導體將其高壓場截止陽極短路溝道IGBT提交“最佳應用獎”評委會之后，第七次獲得這項享有聲望的獎項。該獎項表彰的是在性能/成本和市場定位方面獲得突出成就的產(chǎn)品。

這些高壓場截止陽極短路溝道IGBT產(chǎn)品的電壓范圍為1,100 V – 1,400 V，利用固有的反并聯(lián)二極管進行了優(yōu)化。隨著典型非穿通型(NPT) IGBT技術的不斷進步，飛兆半導體的陽極短路硅技術可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-Trench IGBT要低12%以上。

此外，如果與競爭對手的IGBT產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。由于具有這些豐富特性，飛兆半導體先進的IGBT因而能實現(xiàn)更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功率損耗。這些器件非常適合要求更低導通損耗和出色開關性能的高功率和高頻率感應加熱型(IH)家用電器，可實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。

EPC十佳功率產(chǎn)品獎" />

飛兆半導體的場截止陽極短路溝道IGBT提供業(yè)界領先的技術，可應對當今設計中遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些應用都是飛兆半導體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現(xiàn)最大限度的節(jié)能。

十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎旨在表彰該領域中顯著進步的技術或其應用。該獎項強調(diào)創(chuàng)新和出色的性價比，范圍涵蓋所有功率產(chǎn)品。提交的產(chǎn)品以三個標準加以評估： 某項技術或其應用的顯著進步、創(chuàng)新設計和性價比的大幅提升。此外，還有五個獨立獎項： 技術突破獎、最佳應用獎、優(yōu)化開發(fā)獎、綠色能源獎以及獨立創(chuàng)新獎。