高壓IGBT可減少高功率感應加熱應用中的總功率損耗和電路板面積

21ic 飛兆半導體——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎。

這是自飛兆半導體將其高壓場截止陽極短路溝道IGBT提交“最佳應用獎”評委會之后，第七次獲得這項享有聲望的獎項。該獎項表彰的是在性能/成本和市場定位方面獲得突出成就的產(chǎn)品。

這些高壓場截止陽極短路溝道IGBT產(chǎn)品的電壓范圍為1,100 V – 1,400 V，利用固有的反并聯(lián)二極管進行了優(yōu)化。隨著典型非穿通型(NPT) IGBT技術(shù)的不斷進步，飛兆半導體的陽極短路硅技術(shù)可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-Trench IGBT要低12%以上。

此外，如果與競爭對手的IGBT產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。由于具有這些豐富特性，飛兆半導體先進的IGBT因而能實現(xiàn)更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功率損耗。這些器件非常適合要求更低導通損耗和出色開關(guān)性能的高功率和高頻率感應加熱型(IH)家用電器，可實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。

EPC十佳功率產(chǎn)品獎" />

飛兆半導體的場截止陽極短路溝道IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，可應對當今設計中遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些應用都是飛兆半導體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現(xiàn)最大限度的節(jié)能。

十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎旨在表彰該領(lǐng)域中顯著進步的技術(shù)或其應用。該獎項強調(diào)創(chuàng)新和出色的性價比，范圍涵蓋所有功率產(chǎn)品。提交的產(chǎn)品以三個標準加以評估： 某項技術(shù)或其應用的顯著進步、創(chuàng)新設計和性價比的大幅提升。此外，還有五個獨立獎項： 技術(shù)突破獎、最佳應用獎、優(yōu)化開發(fā)獎、綠色能源獎以及獨立創(chuàng)新獎。