新器件適用于商用和軍事、地面和機(jī)載、二次監(jiān)視雷達(dá)，以及防撞空中交通管制設(shè)備

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor，HEMT)技術(shù)的射頻(radio frequency，RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設(shè)備中，MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目標(biāo)應(yīng)用包括商用二次監(jiān)視雷達(dá)(secondary surveillance radar，SSR)，在全球各地用于大約200英里范圍內(nèi)機(jī)場地區(qū)和區(qū)域中心的飛機(jī)詢問和識別。

美高森美公司RF集成解決方案部門副總裁兼總經(jīng)理David Hall稱：“作為RF解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商，美高森美的聲望是建立在30年的經(jīng)驗(yàn)，杰出的工程技術(shù)團(tuán)隊(duì)，以及專注提供突破性能和可靠性限制的新產(chǎn)品方面。從元器件到組件和定制封裝，我們將繼續(xù)投資所需的技術(shù)和設(shè)備，進(jìn)一步鞏固我們的領(lǐng)先地位，并且為我們的客戶提供更好服務(wù)。”

當(dāng)在1030/1090MHz下工作，MDSGN-750ELMV提供了無與倫比的750 W峰值功率和17分貝(dB)功率增益及典型的70%漏極效率性能，在覆蓋此頻帶的此類單端器件中具有最大的功率。

此外，對于1030MHz地面詢問機(jī)和1090MHz機(jī)載應(yīng)答機(jī)這兩者，新的RF器件能夠應(yīng)對嚴(yán)苛的商業(yè)S模式 (Mode-S)擴(kuò)展長度信息(Extended Length Message，ELM)脈沖條件，并且可以用于高性能地面輸出級。通過在區(qū)域場所中促進(jìn)共享天氣和飛機(jī)空中交通態(tài)勢感知信息的溝通，ELM使得空中旅行更安全。在商用空對空(air-to-air)交通警告和防撞系統(tǒng)(collision avoidance systems，TCAS)及敵我識別(Identify Friend or Foe，IFF)系統(tǒng)中，它也是理想選擇，這些系統(tǒng)都是在特定地區(qū)中保護(hù)飛機(jī)所必需的。

關(guān)鍵技術(shù)特性：

功率晶體管" />

GaN on SIC HEMT器件具有超越替代工藝技術(shù)的數(shù)項(xiàng)優(yōu)勢，包括更高的功率性能、節(jié)省材料成本(BOM)成本和減少器件占位面積。例如，MDSGN-750ELMV具有如下優(yōu)勢：

單端設(shè)計(jì)采用簡化的阻抗匹配，替代需要額外組合水平的低功率器件。

最高的峰值功率和功率增益簡化系統(tǒng)功率級數(shù)和末級組合數(shù)量

單端輸出級對提供帶有余量的1.5 kW峰值輸出功率

四個輸出級對組合提供全系統(tǒng)>5 kW的峰值輸出功率

50V 偏壓允許使用現(xiàn)有的電源軌，減少DC電流需求

極其穩(wěn)健的性能提升系統(tǒng)良率

相比采用硅雙極面結(jié)型晶體管(silicon bipolar junction transistors，Si BJT)或橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(laterally diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)器件，放大器尺寸減小了50%

擊穿電壓動態(tài)余量比硅雙極型和硅LDMOS器件大得多，并且在更高的結(jié)溫下工作，提供更穩(wěn)健的運(yùn)行和更長的MTTF。

在-55至+85℃范圍的出色溫度穩(wěn)定性

除了RF元件，美高森美的商用航空產(chǎn)品組合包括：FPGA、TVS二極管、集成標(biāo)準(zhǔn)和定制產(chǎn)品、集成電路、電源調(diào)節(jié)和管理元件及模塊、專用集成電路(ASIC)、微波器件和元件、高密度內(nèi)存產(chǎn)品、定制半導(dǎo)體封裝和集成配電系統(tǒng)。

封裝和供貨

美高森美公司提供單端型(single-ended)封裝MDSGN-750ELMV，采用100%高溫鍍金(Au)制造并將導(dǎo)線密封在焊封封裝中，具有長期可靠性。