高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開關(guān)

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分立式扁平無(wú)引腳)封裝的晶體管。全新產(chǎn)品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產(chǎn)品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于空間受限的便攜式應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開關(guān)，這是因?yàn)橥庑未笮　⒐β拭芏群托试谶@些應(yīng)用中都是極為關(guān)鍵的因素。

恩智浦半導(dǎo)體公司晶體管產(chǎn)品經(jīng)理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封裝內(nèi)達(dá)到如此高的漏極和集極電流值是前所未有的。通過(guò)這一里程碑式的突破，恩智浦會(huì)繼續(xù)挑戰(zhàn)MOSFET和雙極性晶體管在超緊湊封裝和性能方面的極限。”

全新產(chǎn)品系列采用兩種封裝：?jiǎn)尉FN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達(dá)到1 W，具有可焊鍍錫側(cè)焊盤的特性。這些側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)鉛封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好，因此能滿足嚴(yán)格的汽車要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空間僅為1.1-mm²，是雙晶體管可采用的最小封裝。

采用DFN1010封裝的產(chǎn)品可以替代許多WL-CSP器件。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標(biāo)準(zhǔn)含鉛SMD封裝(例如達(dá)到其八倍體積的SOT23)，同時(shí)提供同等甚至更為出色的性能。

全新產(chǎn)品組合的主要特點(diǎn)：

· 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝

· 功耗(Ptot) 最高達(dá)到1 W

· 采用可焊鍍錫側(cè)焊盤，貼裝性能更好，符合汽車應(yīng)用要求

· 單通道和雙通道MOSFET(N溝道/P溝道)

· RDSon值低至34mOhm

· ID最高達(dá)到3.2 A

· 電壓范圍為12 V至80 V

· 1 kV ESD保護(hù)

· 低VCEsat (BISS)單晶體管

· VCEsat 值低至70 mV

· 集極電流(IC)最高達(dá)到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達(dá)到3 A

· VCEO范圍為30 V至60 V

· 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)

· 雙通道NPN/PNP配電阻(數(shù)字)晶體管(100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn))

· 通用單晶體管和雙晶體管

上市時(shí)間

采用DFN1010封裝的全新晶體管現(xiàn)已量產(chǎn)，即將上市。