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[導讀]新器件以緊湊的占位面積實現(xiàn)系統(tǒng)效率提升21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列,推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列,新型二極管產(chǎn)品瞄

新器件以緊湊的占位面積實現(xiàn)系統(tǒng)效率提升

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列,推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列,新型二極管產(chǎn)品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應用。

SiC等寬帶隙半導體器件采用了最先進的材料,這是眾多功率電子和系統(tǒng)設計人員在新設計中所考慮的。與硅材料相比,SiC提供了包括較高擊穿場強和較高導熱性在內(nèi)的數(shù)項優(yōu)勢。這些特性可讓設計人員創(chuàng)建具有較好性能特性的產(chǎn)品,包括零反向恢復、溫度獨立行為、較高的電壓能力和較高的工作溫度,以達到全新的性能、效率和可靠性水平。

美高森美公司功率產(chǎn)品部門高級產(chǎn)品營銷經(jīng)理James Kerr表示:“美高森美的SiC功率半導體器件是尋求提升系統(tǒng)效率的功率電子設計人員的理想選擇,碳化硅是我們眾多客戶的顛覆性(game-changing)技術。憑借公司內(nèi)部的制造能力、全面的SiC解決方案產(chǎn)品組合,以及包括數(shù)款全新SiC產(chǎn)品的發(fā)展藍圖,美高森美擁有把握這個不斷增長的市場機會的有利條件。”

美高森美全新650V SiC肖特基二極管產(chǎn)品組合包括:

· APT10SCD65K (650V、10A、TO-220 封裝)

· APT10SCD65KCT (650V、10A、 共用陰極TO-220 封裝)

· APT20SCD65K (650V、20A、TO-220 封裝)

· APT30SCD65B (650V、30A、TO-247 封裝)

新的解決方案還用于公司的功率模塊產(chǎn)品,功率模塊用于航空航天、焊接、電池充電和其它大功率工業(yè)應用。

供貨

新型650V SiC肖特基二極管現(xiàn)在進入生產(chǎn)。

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