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[導讀]小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節(jié)省電源,延長電池使用壽命21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。

小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節(jié)省電源,延長電池使用壽命

21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導通電阻。

三個 N 通道及三個 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列 (LGA) 封裝,與芯片級封裝 (CSP) 相比,其可將板積空間銳減 40%。CSD17381F4 與 CSD25481F4 支持不足 100 毫歐的導通電阻,比目前市場上類似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過 4000V 的人體模型 (HVM) 靜電放電 (ESD) 保護。

德州儀器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低導通電阻" />

FemtoFET MOSFET 歸屬 TI NexFET 功率 MOSFET 產品系列,該系列還包括適用于手機等便攜式應用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大電流低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器以及 TPS65090 前端電源管理單元 (PMU) 等各種系列的電源管理產品,可為手持應用節(jié)省板級空間,降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優(yōu)勢

· 不足 100 毫歐的導通電阻比類似器件低 70%,可節(jié)省電源,延長電池使用壽命;

· FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封裝比標準 CSP 小 40%;

· 1.5A 至 3.1A 的持續(xù)漏極電流值與當前市場類似尺寸器件相比,可提供超過 2 倍的性能。

供貨情況

FemtoFET MOSFET 器件現(xiàn)已開始批量供貨,可通過 TI 及其授權分銷商進行訂購。

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