非對(duì)稱封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中可節(jié)省空間

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載應(yīng)用，把高效同步DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm封裝里，比使用分立MOSFET的方案節(jié)省空間，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至6.4mΩ。

今天發(fā)布的這些MOSFET是業(yè)內(nèi)首批通過汽車級(jí)認(rèn)證的采用非對(duì)稱封裝的雙芯片MOSFET，為降低傳導(dǎo)損耗，增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作，具有車內(nèi)任何位置的應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用于車載通信娛樂系統(tǒng)，例如收音機(jī)和GPS系統(tǒng)。

SQJ940EP和SQJ942EP使設(shè)計(jì)者能夠選用不同的導(dǎo)通電阻值。在10V電壓下，SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為6.4mΩ，溝道1高邊MOSFET的導(dǎo)通電阻為16mΩ。與雙芯片對(duì)稱方案相比，SQJ940EP的低邊導(dǎo)通電阻低31%，而尺寸同樣小巧。SQJ942EP在10V下的最大低邊導(dǎo)通電阻為11mΩ，高邊MOSFET的導(dǎo)通電阻為22mΩ。

這些MOSFET通過了100%的Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS，無鹵素。

器件規(guī)格表：

封裝雙芯片MOSFET" />

SQJ940EP和SQJ942EP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。