21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司的元件模型被納入國(guó)家儀器公司最新推出的Multisim 13.0，已為數(shù)千工程師提供一個(gè)易於使用的環(huán)境，用以模擬採(cǎi)用EPC元件的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，從而提高功率系統(tǒng)效率、縮小產(chǎn)品尺寸及降低設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的開發(fā)成本。

硅基增強(qiáng)型功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管之全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布其增強(qiáng)型功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN® FET)SPICE模型被收納入國(guó)家儀器(NI)最新推出的Multisim電路模擬及設(shè)計(jì)軟件。Multisim提供全方位的電路分析工具，幫助工程師從先進(jìn)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的應(yīng)用中易于計(jì)算、改變及查尋參數(shù)。

NI公司產(chǎn)品經(jīng)理Mahmoud Wahby說“現(xiàn)在幾千工程師已使用Multism 13.0 的EPC元件模型來提高功率系統(tǒng)效率、縮小產(chǎn)品尺寸或降低開發(fā)成本，或同時(shí)實(shí)現(xiàn)這三方面的優(yōu)勢(shì)。Multisim 也是廣為學(xué)術(shù)界及在功率電子設(shè)計(jì)中使用尖端元件的商戶所采用的領(lǐng)先電路設(shè)計(jì)工具。我們很榮幸Multisim囊括EPC領(lǐng)先業(yè)界的氮化鎵晶體管并期望將來最新的eGaN FET產(chǎn)品繼續(xù)與Multisim合作。”

宜普公司創(chuàng)始人及首席執(zhí)行官Alex Lidow說“為了使eGaN FET產(chǎn)品易于使用，我們把它們開發(fā)為跟硅功率MOSFET器件非常相似的器件之同時(shí)具備更高頻性能。 NI公司的MultisimSPICE模型包含我們的產(chǎn)品，為工程師提供易于使用的工具，大大提升氮化鎵器件的易用性，幫助工程師利用氮化鎵器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品。這些器件模型推動(dòng)縮短從設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)到推出市場(chǎng)的時(shí)間及實(shí)現(xiàn)高性能氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)。”