東芝公司宣布推出低高度SO6L封裝柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，用于驅(qū)動(dòng)中小功率IGBT和功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。批量生產(chǎn)定于1月底開始。

新產(chǎn)品“TLP5701”(用于驅(qū)動(dòng)小功率IGBT)和“TLP5702”(用于驅(qū)動(dòng)中等功率IGBT)是首批使用低高度SO6L封裝的東芝光電耦合器。只有54%的東芝產(chǎn)品使用SDIP6封裝，這些新設(shè)備將有助于更薄產(chǎn)品的開發(fā)。雖然擁有低高度，但是這些設(shè)備可以確保8毫米爬電距離，使它們適用于需要較高隔離規(guī)格的應(yīng)用。

通過利用BiCMOS工藝技術(shù)，“TLP5701”和“TLP5702”可實(shí)現(xiàn)2.0mA(最大)低供電電流和低功耗。通過與原先的大功率、高可靠性紅外線LED結(jié)合，它們可以應(yīng)用于廣泛的應(yīng)用，包括需要高熱穩(wěn)定性的應(yīng)用(例如工廠自動(dòng)化和家用光伏電力系統(tǒng)、數(shù)碼家電和控制設(shè)備)。最大傳輸延遲時(shí)間和傳輸延遲偏差在定義的工作溫度范圍(最高110攝氏度)內(nèi)可以獲得保證，因此能夠減少逆變電路的停滯時(shí)間，從而可以確保更高的運(yùn)行效率。

新產(chǎn)品的主要規(guī)格

東芝推出低高度SO6L封裝柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器" />