Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎

時間：2014-04-08 09:22:52

關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 電子封裝

手機看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

[導讀]采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第

采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的-20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻僅為4.8mΩ，是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的首款器件。

《今日電子》雜志的編輯從2013年在中國市場上推出的數(shù)百款產(chǎn)品中，根據(jù)設(shè)計創(chuàng)新、在技術(shù)和應用上的顯著改進，以及價格和性能上的重大成績進行評估。Vishay的Si7655DN MOSFET因其在MOSFET領(lǐng)域取得的成功而獲獎。

Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix領(lǐng)先的P溝道第III代技術(shù)，3.6mΩ (-10V)、4.8mΩ (-4.5V)和8.5mΩ (-2.5V)的最大導通電阻是業(yè)內(nèi)最低的。這些指標比最接近的-20V器件提高17%以上。

Si7655DN的低導通電阻使設(shè)計者能在電路里實現(xiàn)更低的壓降，提高電能使用效率，延長電池壽命。器件的PowerPAK 1212-8S封裝高度為0.75mm，比PowerPAK 1212薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時保持相同的PCB布局設(shè)計。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接：

http://www.vishay.com/doc?63617

《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎獲獎名單發(fā)布在2014年第2期上。中文介紹的完整獲獎名單見http://www.bioacme.com.cn/wz/CRXDQWHFA/20140202/20140202.htm。