25 V器件利用設(shè)計、封裝及材料技術(shù)以提供MOSFET能效基準(zhǔn)，用于服務(wù)器及電信交換機應(yīng)用

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，它們經(jīng)過設(shè)計及優(yōu)化，提供領(lǐng)先業(yè)界能效，優(yōu)于市場現(xiàn)有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET極適合用作服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用的開關(guān)器件，或者用于配合負載點(POL)模塊中的同步整流。這些器件提供包含及不包含集成一個肖特基二極管的不同版本，能幫助工程師提供更高能效。

低壓功率MOSFET新系列" />

安森美半導(dǎo)體深知終端產(chǎn)品性能越來越強調(diào)高能效，故優(yōu)化了新功率MOSFET的設(shè)計、材料及封裝，以降低損耗。0.7毫歐(mΩ)的一流導(dǎo)通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低輸入電容確保導(dǎo)電、開關(guān)及驅(qū)動器等損耗降至最低。安森美半導(dǎo)體還深思熟慮，確保這些MOSFET提供較現(xiàn)有器件更優(yōu)的熱性能和低封裝阻抗及感抗。

安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“將導(dǎo)電及開關(guān)損耗降至最低以優(yōu)化總能效，是越來越多終端市場設(shè)計人員極希望可實現(xiàn)的目標(biāo)。我們利用工藝、材料和封裝專知和技術(shù)，成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平，幫助我們客戶達到他們嚴(yán)格的設(shè)計性能目標(biāo)。”

封裝及價格

NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無鉛SO8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元;NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無鉛µ8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為0.86和0.67美元。