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[導(dǎo)讀] 意法半導(dǎo)體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場領(lǐng)先的穩(wěn)定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝,可用于大輸出

 意法半導(dǎo)體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場領(lǐng)先的穩(wěn)定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝,可用于大輸出功率的E級工業(yè)電源。

高壓技術(shù),實現(xiàn)E級工業(yè)電源" width="450" height="299" />

STAC250V2-500E的負(fù)載失匹率 (load-mismatch) 為20:1,處于市場最高水平,最大安全功率高達(dá)600W。與采用傳統(tǒng)陶瓷封裝的解決方案相比,0.55x1.35吋STAC® 氣室封裝 (air-cavity package)可縮減產(chǎn)品尺寸約50%。兩支STAC250V2-500E晶體管的占位面積小于一個陶瓷晶體管,可實現(xiàn)高于1kW的小型電源設(shè)計。氣室封裝可降低25%的熱電阻率 (thermal resistance) ,這有助于提高晶體管的工作可靠性。

STAC250V2-500E的產(chǎn)品優(yōu)勢可確保目標(biāo)應(yīng)用的卓越性能,包括感應(yīng)加熱器 (induction heater),等離子體增強氣相沉積系統(tǒng) (plasma-enhanced vapor-deposition system) 和太陽能電池和平板電視的制造設(shè)備。

STAC250V2-500E采用意法半導(dǎo)體最新的SuperDMOS高壓技術(shù),最大工作電壓為250V;而高于900V的擊穿電壓 (breakdown voltage) 確保E級電感式諧振電路 (inductive resonant circuit) 或D級功率放大器 (power amplifier) 等其它應(yīng)用的穩(wěn)定性。

STAC250V2-500E目前已開始量產(chǎn),采用 STAC177 封裝。

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