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[導(dǎo)讀]東芝公司旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。新產(chǎn)品是一個(gè)適用于電荷泵的

東芝推出汽車(chē)用單通道高邊N溝道功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器" />

東芝公司旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。新產(chǎn)品是一個(gè)適用于電荷泵的一體化電路,與東芝的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,工作電壓更低[1],為VDD(opr)= 5至18V。即日起可供貨。

新產(chǎn)品主要規(guī)格

· BiCD 0.13μm工藝

· 供電電壓:VDD(opr)=5至18V

· 內(nèi)置過(guò)流保護(hù)功能

· 內(nèi)置過(guò)流診斷功能

· 輸出電壓

VOUT=VDD + 8V(最低值)@VDD=5V,IOUT=-100µA,Tj=-40至125°C

VOUT=VDD + 10V(最低值)@VDD=8至18V,IOUT=-100µA,Tj=-40至125°C

· 小型封裝: PS-8(2.8mm × 2.9mm)

應(yīng)用

適用于汽車(chē)應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)12V蓄電池所使用的高邊N溝道MOSFET,包括用于怠速停止系統(tǒng)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)的半導(dǎo)體繼電器和半導(dǎo)體負(fù)載開(kāi)關(guān)。

· 注1:與“TPD7102F”(VDD=7至18V)相比

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