Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列
全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導通電阻 (Rdson)、
最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結合，為設計師提高靈活性
Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。
800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選。同時，多種可選封裝為設計師帶來巨大的靈活性，在尺寸受限的設計中尤為如此。該系列的關鍵應用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設備的電源、電源適配器、服務器、工業(yè)電源和輔助電源及微型太陽能逆變器。
“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列，制造商可提高產品的效率和可靠性。由于優(yōu)越的開關性能和低導通電阻，此系列的效率明顯優(yōu)于最接近的競爭產品，”Fairchild 的首席技術市場工程師 Wonhwa Lee 說。“新系列采用最新的超級結技術，實現(xiàn)小形狀因數(shù)及更勝以往的高效率，其耐用的內置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業(yè)橋式電路的可靠性。”
Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范圍為 4.3 歐姆至業(yè)內最低 60 毫歐的26個器件(均以各種標準封裝提供)組成，為設計師在針對特定應用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如，F(xiàn)CD850N80Z 是該系列的主要成員，將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson(最大值)與比主要競爭產品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相結合，使其成為需要低導通電阻和尺寸受限的 LED 照明應用的理想之選。
Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括：
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Rdson [mΩ] |
TO-247 |
D2-pak |
TO-220 |
TO-220F |
D-pak (TO-252) |
I-pak (TO-251) |
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4,300 |
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FCPF4300N80Z |
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FCU4300N80Z |
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3,400 |
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FCD3400N80Z* |
FCU3400N80Z* |
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2,250 |
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FCPF2250N80Z |
FCD2250N80Z |
FCU2250N80Z |
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1,300 |
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FCPF1300N80Z FCPF1300N80ZYD* |
FCD1300N80Z |
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850 |
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FCP850N80Z* |
FCPF850N80Z |
FCD850N80Z |
FCU850N80Z |
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650 |
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FCP650N80Z* |
FCPF650N80Z |
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400 |
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FCP400N80Z* |
FCPF400N80Z FCPF400N80ZL1** |
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290 |
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FCB290N80* |
FCP290N80* |
FCPF290N80* |
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220 |
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FCP220N80* |
FCPF220N80* |
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85 |
FCH085N80_F155* |
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60 |
FCH060N80_F155* |
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(*: 開發(fā)中)
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