30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達85%

可靠性比額定結(jié)溫為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍

21ic電源網(wǎng)訊 Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。

這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設(shè)計裕量成為可能。該產(chǎn)品系列包括19款新設(shè)備，提供5 mm x 6 mm和3 mm x 3 mm標(biāo)準(zhǔn)封裝和新的TO-Leadless (TO-LL)封裝。這些設(shè)備提供廣泛的電壓額定值，包括30V、40V、60V、80V、100V、120V和150V。

Fairchild的ET MOSFET系列將卓越的耐高溫性能、更高的功率密度和更高的可靠性相結(jié)合，是用于各種應(yīng)用比如DC-DC、AC-DC和電機驅(qū)動的理想選擇，應(yīng)用范圍包括航空電子設(shè)備、微型太陽能逆變器、電動工具和電信。

Fairchild iFET產(chǎn)品系列副總裁Suman Narayan表示：“作為Fairchild整條ET MOSFET產(chǎn)品線的最新成員，在設(shè)計能夠或必須耐受高溫的產(chǎn)品時，該新系列產(chǎn)品為設(shè)計者提供了更大的設(shè)計裕量，而無需依賴散熱片或其它增加產(chǎn)品成本和復(fù)雜性的散熱方法。 這些新設(shè)備秉承Fairchild的傳統(tǒng)，為設(shè)計者帶來出色的解決方案，與競爭產(chǎn)品相比大幅增加了設(shè)計裕量。”

可在175° C下工作的能力使得這些新ET MOSFET特別適合必須在高溫環(huán)境中工作的產(chǎn)品，如太陽能和以太網(wǎng)供電(POE)應(yīng)用。 此外，設(shè)備的可靠性大幅提高，對于在惡劣環(huán)境中使用的產(chǎn)品是一大優(yōu)勢，如航空電子設(shè)備、鐵路和電動工具應(yīng)用。

在超小封裝內(nèi)提供擴展溫度范圍和更高的功率密度是該系列的主要優(yōu)勢，制造商可獲得更多的產(chǎn)品設(shè)計靈活性。 它可以幫助設(shè)計者縮小產(chǎn)品尺寸，同時保持相同的功率輸出，或者在不增加尺寸的條件下提高功率輸出。

Fairchild將參加3.16-19在北加州夏洛特舉行的2015年APEC展覽，展位是905。我們的技術(shù)專家將在現(xiàn)場討論和解答關(guān)于擴展溫度(ET)中壓MOSFET的問題和其他高能效解決方案。