日前，Vishay 宣布，針對高功率混合裝配、SiC和GaN應(yīng)用中的使用環(huán)境，推出新的薄膜條MOS電容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可處理高功率，工作電壓高達(dá)100V，有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)兩種小外形尺寸，能夠在不犧牲性能的情況下，實現(xiàn)更小的產(chǎn)品設(shè)計。

今天推出的這些器件具有高工作電壓和5pF～100pF的電容，以及魯棒的MOS結(jié)構(gòu)，適用于LC、RC或LRC濾波，RF扼流，以及直流隔離和阻抗匹配。對于這些應(yīng)用，BRCP可以采用多引線鍵合，最小容值的外形A、外形B的電容器分別有7個鍵合和15個鍵合。

條形電容器的TCC低至±50ppm/℃，絕對公差只有±5%。器件具有優(yōu)異的負(fù)載壽命穩(wěn)定率，可以在-55℃～+150℃溫度范圍內(nèi)工作。

BRCP條形MOS電容器現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。