宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出采用高性能、寬間距的芯片規(guī)模封裝的全新氮化鎵(eGaN®)功率晶體管，進(jìn)一步擴(kuò)大其功率晶體管系列、易于實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量并與成熟的制造工藝及組裝生產(chǎn)線兼容。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出3個(gè)采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球，進(jìn)一步擴(kuò)大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實(shí)現(xiàn)大電流承載能力。

與具有相同的電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開(kāi)關(guān)性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC及AC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流應(yīng)用、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器及D類音頻放大器等應(yīng)用的理想器件。