eGaN功率晶體管在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域繼續(xù)實(shí)現(xiàn)更高的性能。該晶體管系列具備更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及優(yōu)越的散熱性能，從而實(shí)現(xiàn)具備更高的功率密度的轉(zhuǎn)換器。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出兩個可以提高電源轉(zhuǎn)換效率的eGaN®FET。這些產(chǎn)品的工作溫度最高達(dá)150°C。150 V的EPC2033的脈沖電流為200 A及200 V的EPC2034的脈沖電流為140 A。應(yīng)用范圍包括DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC與AC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流應(yīng)用、馬達(dá)驅(qū)動器、LED照明及工業(yè)自動化等應(yīng)用。

這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球，進(jìn)一步擴(kuò)大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實(shí)現(xiàn)大電流承載能力。

開發(fā)板

為了簡化對這些高效的氮化鎵場效應(yīng)晶體管進(jìn)行評估，EPC推出EPC9047開發(fā)板，使得工程師可以容易對EPC2033“在電路中”的性能進(jìn)行評估。該開關(guān)板包含了所有重要元件以易于與任何轉(zhuǎn)換器連接。

EPC9047開發(fā)板采用半橋拓?fù)洌叽鐬?英寸乘1.5英寸。該板含兩個EPC2033 eGaN FET、采用德州儀器的UCC27611柵極驅(qū)動器、電源及旁路電容。該開關(guān)板配備了所有重要元件并采用可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能的布局及備有多個探孔以幫助工程師測量出簡單的波形及計(jì)算效率。