欲著力借此趕超三星。

32層結構已成昨日黃花。同志們，下面請鼓掌歡迎SanDIsk公司已進入實驗性生產(chǎn)的48層3D NAND芯片!沒錯，就是這么回事，肆～拾～捌層高高的!

我們可以將其視為追趕三星公司的一項舉措，畢竟后者目前已經(jīng)開始推出第二代3D V-NAND芯片，其采用三層單元設計。戴爾方面將這些128 Gb晶粒應用到了自己的SC系列存儲陣列當中，旨在以前所未有的低廉每GB使用成本水平實現(xiàn)閃存產(chǎn)品的大規(guī)模銷售。

這款SanDisk芯片擁有256 Gb存儲容量，相當于三星的二倍，且同樣采用三層單元設計(簡稱TLC)。目前由代工合作伙伴東芝在其Yokkaichi代工廠負責實驗性生產(chǎn)。

與三星的閃存芯片相比，SanDisk的層數(shù)為前者的二倍——48層結構相當于將兩塊2D NAND芯片摞在一起。

SanDisk公司表示其采用的是BiCS設計，且將“帶來比傳統(tǒng)2D NAND更出色的寫入/擦除耐久性、寫入速度與能源利用效率。”

這是因為它采用了較當前SanDisk與東芝16納米芯片更大的光刻尺寸，從而提升了使用壽命水平。

東芝BiCS示意圖

我們認為其具體制程應該在24納米至40納米區(qū)間，不過SanDisk方面并沒有公布具體數(shù)字。雖然每層存儲容量低于16納米2D芯片，但總體48層結構讓其在同樣的芯片尺寸之下實現(xiàn)了更為可觀的空間上限。

此次實驗性生產(chǎn)的目的在于對生產(chǎn)流程進行微調，同時探索出可以接受的芯片產(chǎn)能水平。正因為如此，目前該產(chǎn)品的具體上市日期為——未知。

我們預計三星方面也會在2016年年底甚至更早的時間點上生產(chǎn)出下一代48層V-NAND。

這意味著消費級及移動設備將輕松實現(xiàn)閃存容量倍增，這將幫助它們擁有更快的速度表現(xiàn)以及運行更為復雜的軟件產(chǎn)品的能力。

企業(yè)級存儲方案也將借此幫助熱門數(shù)據(jù)找到更值得考量的閃存存儲機制，也就是說應用程序運行速度更快、服務器執(zhí)行效率更高。這些顯然都是值得慶祝的好消息。

SanDisk公司的這款3D TLC芯片將于2016年年內正式投放市場。