低插入損耗、高線性度的全新RF電壓可變衰減器支持1MHz 到6GHz，擴(kuò)展了IDT公司的頻率覆蓋范圍

IDT公司(IDT)今天宣布其不斷擴(kuò)大的射頻電壓可變衰減器(VVA)產(chǎn)品系列新增兩款新產(chǎn)品，使IDT公司RF產(chǎn)品的頻率覆蓋范圍擴(kuò)大到1 MHz至6 GHz。與該產(chǎn)品系列中的其他成員一樣，F(xiàn)2255 和 F2258器件都可提供業(yè)界領(lǐng)先的低插入損耗和高線性度。

IDT公司的電壓可變衰減器可為那些需要精確衰減的應(yīng)用提供模擬電壓控制。兩款新器件采用緊湊的3 x 3mm，16引腳TQFN封裝，插入損耗僅為競(jìng)爭(zhēng)解決方案的一半左右，而IP3性能比競(jìng)爭(zhēng)的砷化鎵(GaAs)器件好1000倍(30 dB)以上，并且它們都在電壓控制范圍內(nèi)展示了dB線性(線性對(duì)數(shù))衰減特性。這些器件的低插入損耗降低了射頻鏈路的損耗，而他們的高線性度則提升了系統(tǒng)的數(shù)據(jù)速率。

這些全新器件與目前流行的芯片大小匹配，理想適用于基站(2G，3G和4G)、微波基礎(chǔ)設(shè)施、公共安全、便攜式無線通信/數(shù)據(jù)設(shè)備、測(cè)試/自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)、軍用系統(tǒng)、聯(lián)合作戰(zhàn)無線系統(tǒng)(JTRS)以及HF、VHF和UHF無線電等應(yīng)用。

IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens介紹說：“與砷化鎵解決方案相比，IDT公司基于硅的RF產(chǎn)品可提供非常出眾的性能，如新器件高達(dá)30dB的線性度改善。這些器件是當(dāng)今市場(chǎng)上具有最低插入損耗的VVA產(chǎn)品，并且具有最佳的線性衰減控制特性。”

通過使用基于硅的射頻半導(dǎo)體技術(shù)，IDT的衰減器提供了一種替代傳統(tǒng)砷化鎵半導(dǎo)體技術(shù)的可靠方案。IDT公司的硅技術(shù)具有更佳的RF性能、更強(qiáng)大的靜電放電(ESD)保護(hù)、更好的潮濕敏感度等級(jí)(MSL)、更高的散熱性能、更低的電流消耗、以及硅技術(shù)經(jīng)過驗(yàn)證的可靠性等優(yōu)勢(shì)。

與引腳兼容的GaAs競(jìng)爭(zhēng)方案比較，F(xiàn)2258具有高達(dá)65dBm的輸入IP3，而 GaAs競(jìng)爭(zhēng)方案僅為35dBm，最大衰減斜率(slope)為33dB/V 對(duì)53dB/V ，6000MHz最低返回?fù)p耗為12.5dB對(duì)7dB，最高工作溫度為105℃對(duì)85℃。F2255器件支持的頻率范圍可低至1MHz，并具有33dB/V的最大衰減斜率。F2258和 F2255都具有雙向RF端口，支持3V或5V的單一正電源電壓供電，工作溫度范圍是- 40℃至105℃。