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[導(dǎo)讀]宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開(kāi)發(fā)板,可以在高達(dá)30 MHz下工作。 推出開(kāi)發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師利用簡(jiǎn)易方法對(duì)氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評(píng)估,使得他們的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。

 

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的全新開(kāi)發(fā)板幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師容易并且快速地

對(duì)應(yīng)用于E類(lèi)放大器拓?fù)?、電流模式D類(lèi)放大器拓?fù)浼皃ush-pull 轉(zhuǎn)換器的200 V氮化鎵晶體管進(jìn)行評(píng)估,其工作效率可以高達(dá)30 MHz。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開(kāi)發(fā)板,可以在高達(dá)30 MHz下工作。 推出開(kāi)發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師利用簡(jiǎn)易方法對(duì)氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評(píng)估,使得他們的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。

這些開(kāi)發(fā)板專(zhuān)為諸如無(wú)線充電、采用E類(lèi)放大器的應(yīng)用而設(shè),而且也可以支持采用低側(cè)開(kāi)關(guān)的應(yīng)用,例如push-pull轉(zhuǎn)換器、采用電流模式的D類(lèi)放大器、共源雙向開(kāi)關(guān)及諸如LiDAR應(yīng)用的通用高壓短脈寬應(yīng)用。

這些開(kāi)發(fā)板內(nèi)含具有200 V額定電壓的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)。這些放大器被設(shè)計(jì)為工作在差分模式,也可以再被配置而可以工作在單端模式,而且包含柵極驅(qū)動(dòng)器及邏輯電源穩(wěn)壓器。

這三塊開(kāi)發(fā)板有共同的參數(shù)選擇及規(guī)范,其工作負(fù)載條件包括配置可以決定最優(yōu)的負(fù)載電壓及電阻。以下的表格展示出每一塊開(kāi)發(fā)板的各個(gè)器件參數(shù)。

Demonstration Board

Part Number

Featured

eGaN® FET

Part Number

VDS

(max)

RDS(on)

(max)

COSS

(max)

Pulsed ID 

(max)

EPC9052

EPC2012C

200 V

100 mΩ

85 pF

22 A

EPC9053

EPC2019

200 V

50 mΩ

150 pF

42 A

EPC9054

EPC2010C

200 V

25 mΩ

320 pF

90 A

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