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[導讀]Littelfuse, Inc.(NASDAQ:LFUS)今天宣布推出IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A),新

Littelfuse, Inc.(NASDAQ:LFUS)今天宣布推出IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流(450A),新型半橋IGBT模塊系列(1200V,600A)可為設計師提供顯著更高的額定電流,能夠依托現(xiàn)代IGBT技術可靠、靈活地提供高效快速的開關速度。 該模塊的緊湊(152 x 62 x 17毫米)封裝可簡化熱管理,并支持更加簡單、精密的系統(tǒng)設計。 該多芯片模塊能夠降低焊點與PC電路板空間要求。 本次發(fā)布的產(chǎn)品采用WB配置封裝,功率范圍廣泛,可提供不同的額定電流。

 

MG12600WB-BR2MM系列產(chǎn)品的應用包括電源控制應用,例如靈活、高效的工業(yè)和伺服驅動器、太陽能逆變器、大功率轉換器、UPS和焊接設備。

“該1200V、600A的模塊擴大了我們業(yè)內標準模塊封裝的電流范圍,讓客戶能夠采用同樣的散熱和PC電路板設計,在自己的平臺內推出多種額定功率。”Littelfuse功率半導體技術戰(zhàn)略全球經(jīng)理Kevin Speer博士表示。 “該半導體技術可保持較高的轉化效率,而多芯片模塊則可實現(xiàn)精密的系統(tǒng)設計,減少故障點,提高可靠性。”

MG12600WB-BR2MM 1200V、600A半橋IGBT模塊系列具有下列主要優(yōu)勢:

• 溝槽柵視場光闌IGBT技術可確保最先進的IGBT具有最佳的導通和開關性能

• 低飽和電壓和正溫度系數(shù)意味著MG12600WB-BR2MM模塊可輕松并聯(lián)以增加系統(tǒng)電流

• 快速切換和短拖尾電流可通過減少切換損耗提高系統(tǒng)效率

供貨情況

MG12600WB-BR2MM 1200V、600A半橋IGBT模塊系列散裝供應,最小起訂量為60只。 樣品可向世界各地的授權Littelfuse經(jīng)銷商索取。

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