英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對(duì)要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽(yáng)能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。

更環(huán)保的技術(shù)

英飛凌堅(jiān)持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放。OptiMOS™ 5 150 V有助于實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，它可以降低電信設(shè)備能耗，或者改善電動(dòng)汽車的功率和續(xù)航里程。

與它的下一代最佳替代產(chǎn)品相比，采用SuperSO8封裝的OptiMOS™ 5 150 V可以將導(dǎo)通電阻RDS(on) 大幅降低25%。在導(dǎo)通電阻相同的情況下，該產(chǎn)品家族的FOMg比上一代產(chǎn)品優(yōu)化了高達(dá)29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代產(chǎn)品SuperSO8低72%——增強(qiáng)了通流耐受性。該產(chǎn)品家族的另一個(gè)杰出特性是其更出色的EMI性能。

圖片說(shuō)明：

采用SuperSO8封裝的OptiMOS™ 5 150 V可以將導(dǎo)通電阻RDS(on) 大幅降低25%。超低Qrr——比采用SuperSO8封裝僅次于它的替代產(chǎn)品低72%——增強(qiáng)了通流耐受性。